李齐
- 作品数：42 被引量：24H指数：3
- 供职机构：南京大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术理学电子电信电气工程更多>>
- 面心立方基体内B2结构沉淀相间的界面结构
- 1994年
- 从面心立方（ＦＣＣ）基体的对称性出发．我们确定了该基体内固态沉淀反应所致Ｂ２结构沉淀相之间的界面取向；基于稳定界面结构应具有最低能量的考虑，提出了几种可能的沉淀相间界面结构模型；实验观察表明，Ｎｉ－Ｂｅ合金中沉淀相（β）间界面取向满足对称性要求，β／β界面结构跟自由β相的〈１１０〉｛１１２｝孪晶界面相同，但界面附近存在应变场．
- 郑建国李齐刘治国冯端
- 关键词：沉淀相面心立方
- α-PbO2型TiO2纳米晶微结构的HREM研究
- 马国斌陈志强洪建明朱健民周舜华李齐闵乃本
- 关键词：纳米晶微结构TIO2
- 文献传递
- Er^+注入单晶硅中非晶层晶化过程的TEM研究
- 1990年
- 剖面透射电镜的变温观察及高分辨电子显微镜(HREM)象表明,Er^+注入(注入能量350kev,注入剂量1×10^(15)cm^(-2))硅单晶后,在表面可形成一连续非晶层。热退火过程中,非晶层可以从非晶/单晶界面处进行固相外延和在内部成核两种方式进行再结晶以至形成多晶层。再结晶的晶粒中存在大量微孪晶和堆垛层错。
- 严勇王培大胡梅生孙慧龄李齐冯端
- 关键词：离子注入单晶硅晶化TEM
- 高能（Mev）As+离子注入硅{113}缺陷的HREM研究
- {113}缺陷是在硅、锗等材料中发生于{113}面上的一种面缺陷,曾在以下硅(锗)材料中观测到：1)热退火后的高氧含量 C-型硅;2)离子注入的硅材料中;3)电子及离子辐照过的硅材料中。目前,对这类缺陷的 HREM 像研...
- 朱健民李齐蒋冬梅
- 关键词：离子注入
- 文献传递
- Bi、Zn掺杂的PNN-PZ-PT系压电陶瓷电畴结构的TEM研究
- 1998年
- 在Ａ（Ｂ′Ｂ″）Ｏ３－ＰＺ－ＰＴ三元系中，Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＰＮＮ）－ＰＺ－ＰＴ系压电陶瓷具有稳定的温度特性、优良的压电性能和瞬态电压响应特性，能够综合满足压电陶瓷微位移执行器的性能要求，是一种很有潜力的压电材料［１］。人们对它的介电...
- 朱信华朱健民周舜华李齐孟中岩
- 关键词：压电陶瓷
- CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)核壳微结构的HREM研究
- 2000年
- 随着半导体材料尺寸减至纳米量级 ,材料的电子结构经历从体材料的连续能带到类分子的准分裂能级的变化 ,其光学、电学及结构性质也发生了异于体材料的变化。我们应用胶体化学合成方法 ,制备出具有核壳结构的CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱 (QDQW )纳米晶 ,由于QDQW中载流子的量子限制效应 ,其光致发光谱 (PL)出现明显的蓝移现象 ,谱峰也有明显增强。应用高分辨电子显微技术 ,对CdSe/HgSe/CdSe的QDQW纳米晶和微结构进行研究。高分辨电子显微镜 (HREM)像表明 ,作为QDQW的核心 ,CdSe纳米晶结构与体材料相同 ,是纤锌矿结构 :d10 1=0 .32 9nm ,d0 0 2 =0 .35 1nm ,选区电子衍射谱的结果与与之对应 ;CdSe核外边所包裹的一层 2nm左右的HgSe壳层 ,其结构是六方结构 :d0 0 3 =0 .32 3nm ,d10 1=0 .35 2nm ,而HgSe体材料是闪锌矿结构 ,这是由于在纳米晶异质外延条件下 ,壳结构的生长受核结构的制约。基此 ,我们分析了DQDW中载流子的量子限制效应与PL谱中蓝移现象之间的关系。对于CdSe/HgSe/CdSeDQDW的核壳界面结构及缺陷分布 ,我们正作进一步的分析研究。
- 陈志强朱健民马国斌朱信华周舜华李齐冯端
- 关键词：纳米晶微结构
- 利用波纹图样对GaN/α-Al_2O_3(0001)界面微结构研究
- 2000年
- 以GaN为代表的Ⅲ V族氮化物是制备蓝、绿光发光二极管、激光二极管及高温大功率器件的优选材料。然而 ,现有的衬底材料与GaN外延层之间存在的较大的晶格失配和热失配 ,因而造成外延层极高的位错密度 ( 1 0 8～ 1 0 10 cm-2 )。人们对GaN/α Al2 O3 界面处的微结构及其与生长机制关系的研究表现出极大的兴趣。我们借助于高分辨电镜技术 (HREM) ,利用HREM波纹图样及结构像 ,对LRH MOCVD方法生长的GaN/α Al2 O3 界面微结构进行研究 ,得到了一些有价值的结果。将GaN/α Al2 O3 ( 0 0 0 1 )样品绕〈1 1 2 0〉Al2 O3 转动一小角度 ,进行高分辨电镜 (HREM)观察 ,发现在界面缓冲层的HREM像中存在许多“拉链”状波纹图样 ,它们的周期约为 1 .6nm ,波纹区宽度从 1nm到 2 5nm变化 ,根据这些波纹可测得界面层GaN的晶格弛豫度δ =- 1 5 .1 % ,其残余应变为εr=- 0 .4%。而这种“拉链”状的波纹图样实际上反映了界面缓冲层是由许多不同倾角和残余应变的GaN晶粒组成 ,这些晶粒一部分是低温外延生长而成 ,一部分是在低温生长时的非晶态经高温退火晶化而得。但高温退火所得晶粒不是外延生长 ,其晶化质量较差 ,它们对应于较大角度偏离、弯曲和衬度较为模糊的波纹图样。HREM像分析表明 。
- 朱健民陈志忠马国斌朱信华周舜华李齐冯端
- 关键词：衬底材料
- 层状钙钛矿结构SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的微结构研究被引量：1
- 2000年
- 层状钙钛矿结构SrBi2 Ta2 O9(SBT)铁电薄膜材料由于具有无疲劳特性 ,长的极化寿命和在亚微米 ( <1 0 0nm)厚度时 ,仍然具有体材料的良好电学性能 ,因而成为非挥发性铁电存储器的首选材料。SBT属于Bi系层状钙钛矿结构的铁电材料 ,其化学通式为 (Bi2 O2 ) 2 +(Am -1BmO3 m +1) 2 -,其中A为二价元素 ,B为五价元素 ,m为c轴方向一个晶胞内连续的钙钛结构单元个数。具有铁电性的氧八面体子晶格被非铁电性的 (Bi2 O2 ) 2 +层分隔开 ,形成一种超晶格结构。近年来人们利用多种方法 (如Sol gel,MOD ,PLD等 )制备了SBT铁电薄膜 ,并对其铁电性能及疲劳特性进行了广泛的研究。迄今为止 ,人们对SBT铁电薄膜的微结构研究还比较少 ,对SBT铁电薄膜的耐疲劳机理还不清楚。我们利用高分辨电子显微术 (HRTEM)研究了SBT铁电薄膜的晶界结构 ,分析了小角晶界处的位错组态 ,确定了位错的Burgers矢量及晶界的滑移面 ,并讨论了小角晶界及位错组态对SBT铁电薄膜漏电流密度的影响。采用传统的氧化物混合法烧结制备SrBi2 Ta2 O9陶瓷靶 ,利用脉冲激光沉积法 (PLD)在Pt( 2 0 0nm) /TiO2 ( 5 0nm) /SiO2 /Si衬底上面制备SBT铁电薄膜。衬底温度为 5 5 0℃ ,沉积时间为1 5min ,膜厚 5 0 0nm。合成后的SBT铁电薄膜在氧气氛中 85 0℃下退火
- 朱信华朱滔朱健民周舜华李齐刘治国闵乃本
- 关键词：铁电薄膜微结构晶界
- 复合氧化物纳米粒子三维自组装的HREM研究
- 2000年
- 朱健民马国斌陈志强濮林朱信华周舜华李齐
- 关键词：复合氧化物HREM
- 高能（Mev）As￣＋离子注入硅｛113｝缺陷的HREM研究
- 1994年
- 高能（Ｍｅｖ）Ａｓ￣＋离子注入硅｛１１３｝缺陷的ＨＲＥＭ研究朱健民，李齐，蒋冬梅（南京大学固体微结构物理国家重点实验室，南京 ２１０００８）｛１１３｝缺陷是在硅、锗等材料中发生于｛１１３｝面上的一种面缺陷，曾在以下硅（锗）材料中观测到：１）热退火后的...
- 朱健民李齐蒋冬梅
- 关键词：硅晶体缺陷离子注入HREM
