居建华
- 作品数：41 被引量：107H指数：6
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 陶瓷氧化铝—金刚石薄膜复合材料的研究被引量：1
- 2001年
- 以有机高分子化合物酒精和氢气为反应气体，用热丝CVD法在Al2O3陶瓷基片上沉积出
金刚石薄膜,用拉曼光谱，X射线衍射等方法进行了表征。探索了碳源浓度、热丝温度、基片温度
和预处理工艺对金刚石薄膜结构和性能的影响，并且得到了最佳的工艺条件。探讨了金刚石在
Al2O3衬底上的成核和生长机理。
- 黄晓琴夏义本莫要武王瑜居建华王鸿
- 关键词：金刚石薄膜拉曼光谱X射线衍射氧化铝陶瓷复合材料
- 采用MPCVD法在硅衬底上选择性生长金刚石膜(英文)被引量：1
- 2001年
- 采用微波等离子体化学气相沉积（ MPCVD）法在附有 SiO2掩摸的硅衬底上选择性沉积出 了金刚石膜。采用扫描电子显微镜（ SEM）和 Raman光谱仪对金刚石膜的表面形貌和结构进行 了表征 ,并讨论了衬底温度对金刚石薄膜选择性沉积的影响，得出了较佳的沉积条件。
- 史伟民王林军张文广居建华夏义本
- 关键词：金刚石膜MPCVD硅衬底
- 类金刚石薄膜作为HgCdTe红外器件增透膜和钝化膜的研究被引量：5
- 1998年
- 采用高频等离子化学气相沉积法（ＲＦＣＶＤ）在ＨｇＣｄＴｅ红外器件上沉积类金刚石薄膜。俄歇电子能谱对ＤＬＣ／ＨｇＣｄＴｅ界面分析结果表明类金刚石薄膜中的碳原子对衬底材料影响较小，７０ｎｍ的类金刚石薄膜能抑制衬底组份的外扩散，而且具有纯度较高的类金刚石薄膜外表面层，是一种理想的钝化膜材料。红外透射光谱测试结果表明类金刚石薄膜在较宽的波长范围内（４１２μｍ）具有明显的增透效应。
- 居建华吴汶海许俊芬戴文琦夏义本
- 关键词：类金刚石薄膜红外器件增透膜钝化膜
- [001]织构和非织构CVD金刚石膜的电学特性被引量：3
- 2000年
- 研究了[001]织构和非织构金刚石膜的暗电流-电压特性、电流-温度特性以及在稳态X射线辐照下的响应。结果表明[001]织构的金刚石膜相对非织构多晶金刚石膜具有大的暗电流和X射线响应,主要是由于非织构金刚石膜含有大量的晶粒间界,导致对载流子的传输产生强烈散射。在高于500K的温度区域内,随着温度的上升[001]织构和非织构的金刚石膜的电流都将以指数式上升,这与Si占据金刚石格点产生1.68eV的激活能有关。
- 王林军夏义本居建华张文广
- 关键词：CVD金刚石电学特性X射线探测器金刚石膜织构
- 系统压强对微波等离子体化学气相沉积金刚石成核的影响(英文)被引量：1
- 2001年
- 为了在氧化铝上制备 (100)定向织构的金刚石薄膜，必须先提高金刚石的成核密度。在微波 等离子体化学气相沉积（ MPCVD）系统中，采用低压成核的方法，在氧化铝陶瓷上沉积出高成核密 度的金刚石薄膜。扫描电镜显示其成核密度可达 108 cm－ 2。在此基础上，沉积出（ 100）织构的金 刚石薄膜。
- 王志明夏义本杨莹方志军王林军居建华张伟丽范轶敏
- 关键词：MPCVD金刚石膜氧化铝气体压力
- 掺氮类金刚石薄膜的微观结构和红外光学性能研究被引量：10
- 2001年
- 采用俄歇电子能谱、原子力显微镜、拉曼散射分析、傅里叶红外光谱和红外椭圆偏振光谱等设备 ,对射频等离子增强化学气相沉积法制备的掺氮类金刚石薄膜的微观结构和红外光学性能进行了研究 .结果表明 ,薄膜中氮含量随工艺中氮气 /甲烷流量比的增加而增加并趋于饱和 .光谱中 CH键吸收峰 (2 85 9～ 310 0 cm- 1 )逐渐消失 ,而且 CNH键(16 0 0 cm- 1 )、C≡ N键 (2 2 0 0 cm- 1 )和 NH键 (32 5 0 cm- 1 )对应的红外吸收峰强度随氮含量的增加而增加 .拉曼散射中G峰向小波数方向位移和峰值展宽的现象说明薄膜中形成了非晶的氮化碳结构 ,与原子力显微镜显示的薄膜中富氮的非晶纳米颗粒相对应 .偏振光谱分析认为 ,富氮纳米颗粒的存在导致了薄膜在红外波段折射率由 1.8降低到 1.
- 居建华夏义本张伟丽王林军史为民黄志明李志锋郑国珍汤定元
- 关键词：掺氮类金刚石薄膜微观结构化学沉积
- 氧气-乙炔火焰法在Al_2O_3陶瓷上沉积金刚石薄膜被引量：2
- 1997年
- 用氧气-乙炔火焰法在氧化铝陶瓷片上沉积出了金刚石薄膜，并观察了薄膜的形貌结构及其在基片上的分布规律．对基片进行适当的预处理，可以提高金刚石薄膜在基片上的成核密度．认为氧化铝陶瓷片与沉积金刚石薄膜之间易形成过渡层，初步探讨了在氧化铝陶瓷片上沉积金刚石薄膜的机理．
- 文黎星夏义本莫要武居建华黄晓琴王鸿
- 关键词：氧化铝陶瓷金刚石薄膜氧气
- 偏压对金刚石薄膜选择性成核和生长影响的研究被引量：4
- 2000年
- 利用偏压增强MPCVD法成功地实现了金刚石薄膜在附有SiO2 掩膜图形的镜面抛光的Si( 1 0 0 )上的选择性织构生长 ,列举了最佳偏压成核与选择性生长条件 ,SEM和Raman光谱对所得样品进行了表征 ,并对偏压对选择性成核和生长的影响机制进行了探讨。
- 张文广夏义本居建华王林军
- 关键词：金刚石薄膜
- 全文增补中
- MPCVD法在氧化铝陶瓷上的金刚石膜沉积及其成核分析被引量：10
- 1998年
- 用微波等离子体化学气相沉积 ( MPCVD)法在氧化铝陶瓷基片上沉积了金刚石薄膜。实验表明 ,对基片进行适当的预处理 ,包括用金刚石研磨膏仔细研磨和沉积前原位沉积一层无定形碳层 ,可显著提高成核密度 ;对硅衬底和氧化铝基片上金刚石膜的成核过程进行了对比分析 ,并提出了提高氧化铝基片上沉积金刚石的成核密度的措施。
- 莫要武夏义本居建华张婕王鸿
- 关键词：金刚石MPCVD氧化铝陶瓷
- 不同掺氮量的类金刚石薄膜的电导性能被引量：4
- 2003年
- 研究了不同含氮量的类金刚石薄膜 (DLC∶N)的导电性能 ,发现随着氮含量的增加 ,薄膜的电导率增加较缓 ,当氮含量达到一定值 (12 .8at % )后 ,薄膜电导率反而随氮含量的继续增加而下降。将薄膜在 30 0℃下退火 30min ,结果表明低掺氮的薄膜退火后导电性能有了较大的提高 ,而高掺氮的薄膜退火后电导率有所下降。Raman和XPS光谱研究表明 ,当薄膜中的氮含量达到一定值后 ,在薄膜中会出现非导电 (a CNx)的成分 ,因此高掺杂的类金刚石薄膜的电导率下降。FTIR光谱表明 ,充当施主杂质中心的氮原子在薄膜退火过程中存在被“激活”的现象 ,从而提高了电导率。因此氮对高掺杂和低掺杂薄膜导电性能的影响是不同的。
- 张伟丽夏义本居建华王林军方志军张明龙
- 关键词：掺氮类金刚石薄膜退火效应氮含量
