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孙旺宁

作品数:6 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 5篇纳米
  • 4篇阵列
  • 4篇阵列结构
  • 2篇纳米图案
  • 2篇纳米阵列
  • 2篇金属
  • 2篇金属纳米
  • 2篇金属纳米结构
  • 2篇抗反射
  • 2篇机械分离
  • 2篇硅表面
  • 2篇硅片
  • 2篇硅片表面
  • 2篇玻璃态
  • 1篇灯丝
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体刻蚀
  • 1篇掩模
  • 1篇掩膜
  • 1篇水性

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇李俊杰
  • 6篇孙旺宁
  • 6篇夏晓翔
  • 6篇顾长志
  • 4篇田士兵
  • 3篇金爱子
  • 2篇李林
  • 2篇杨海方
  • 2篇李无暇

传媒

  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种硅表面抗反射纳米阵列结构的制备方法
一种硅表面抗反射纳米阵列结构的制备方法:将硅片放入ICP系统中,在基础真空1.0×10<Sup>-6</Sup>Torr,温度-100℃~-140℃,气体流量比(SF<Sub>6</Sub>/O<Sub>2</Sub>)...
孙旺宁李俊杰夏晓翔田士兵顾长志
文献传递
一种金属纳米结构的制备方法
本发明提供一种金属纳米结构的制备方法,包括:在衬底上形成第一光刻胶层,并利用纳米压印法在所述第一光刻胶层中形成纳米结构,其中所述第一光刻胶层具有第一玻璃化温度;在所述具有纳米图案的第一光刻胶层上沉积金属材料层;在转移衬底...
李俊杰孙旺宁顾长志金爱子夏晓翔杨海方全宝刚李无暇
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一种硅纳米锥复合石墨烯纳米片的材料及其制备方法
本发明提供的一种硅纳米锥复合石墨烯纳米片的材料及其制备方法,硅纳米锥复合石墨烯纳米片的材料包括:表面具有硅纳米锥阵列的衬底;在硅纳米锥阵列的表面上形成有片状的少层石墨烯纳米片层。制备方法包括如下步骤:1)以感应耦合等离子...
李林顾长志李俊杰田士兵孙旺宁夏晓翔
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一种金属纳米结构的制备方法
本发明提供一种金属纳米结构的制备方法,包括:在衬底上形成第一光刻胶层,并利用纳米压印法在所述第一光刻胶层中形成纳米结构,其中所述第一光刻胶层具有第一玻璃化温度;在所述具有纳米图案的第一光刻胶层上沉积金属材料层;在转移衬底...
李俊杰孙旺宁顾长志金爱子夏晓翔杨海方全宝刚李无暇
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一种硅表面抗反射纳米阵列结构的制备方法
一种硅表面抗反射纳米阵列结构的制备方法:将硅片放入ICP系统中,在基础真空1.0×10<Sup>-6</Sup>Torr,温度-100℃~-140℃,气体流量比(SF<Sub>6</Sub>/O<Sub>2</Sub>)...
孙旺宁李俊杰夏晓翔田士兵顾长志
花瓣状少层石墨烯纳米片复合纳米硅锥阵列结构的场发射特性研究
石墨烯片有着很特别的电学性质和非常尖锐的边缘及大的表面积,所以被认为是一种高效场发射体。然而,在垂直于衬的方向生长平行排列的石墨烯片来突出石墨烯的尖锐边缘以增强其场发射特性,在技术上很难实现。在这里,我们设计了一种理想的...
李林孙旺宁田士兵夏晓翔金爱子李俊杰顾长志
关键词:场发射特性
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共1页<1>
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