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黄增立: 作品数：49 被引量：0H指数：0; 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>; 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>

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样品底座: 本实用新型公开了一种样品底座，包括环形板、支撑板、固定杆以及水平限位板。环形板设置在支撑板的上方，与支撑板共同形成有容纳腔，样品放置于容纳腔内。固定杆的一端设置于支撑板的底部，固定杆的另一端用以固定于真空互联扫描电镜的位...; 许蕾蕾黄增立刘宏伟张亚宾翁雪霏张珽

基于金属等离激元的半导体光电流测试系统及测试方法: 本发明揭示了一种基于金属等离激元的半导体光电流测试系统及测试方法，所述测试系统包括：扫描电镜，其具有一SEM腔体及电镜窗口；SEM变温台，位于SEM腔体内，用于承载半导体外延结构；电流测量装置，位于SEM腔体外部；电子枪...; 许蕾蕾黄增立葛啸天戴诗歌孔亚萍张青张珽

半导体材料表面微区光电响应测量装置及测量方法: 本发明提供一种半导体材料表面微区光电响应测量装置及测量方法，所述装置包括样品台，用于放置待测样品；原子力显微镜导电探针，与待测样品接触，原子力显微镜导电探针、待测样品及电源形成电学回路；波长连续可调的单色光路系统，使波长...; 樊英民刘争晖徐耿钊钟海舰黄增立徐科; 文献传递

等离激元增强型探测器及其制作方法: 本发明公开了一种等离激元增强型探测器及其制作方法，等离激元增强型探测器包括：半导体基底，石墨烯层，金属颗粒阵列以及电极组；所述石墨烯层形成于所述半导体基底的表面且暴露出部分所述半导体基底；所述金属颗粒阵列形成于所述石墨烯...; 黄增立许蕾蕾葛啸天张珽

在氮化镓衬底的氮极性面上制备欧姆接触电极的方法: 本发明公开了一种在氮化镓衬底的氮极性面上制备欧姆接触电极的方法，其包括：在真空环境中将所述氮化镓衬底送入到刻蚀装置中；控制所述刻蚀装置对所述氮化镓衬底的氮极性面进行等离子体刻蚀处理；在真空环境中将所述氮化镓衬底从所述刻蚀...; 刘通黄荣李坊森黄增立陆晓鸣丁孙安; 文献传递

石墨烯谐振器及其制作方法: 本发明提供一种石墨烯谐振器及其制作方法，所述石墨烯谐振器包括衬底、声表面波发生器及石墨烯，所述声表面波发生器设置在衬底表面，用于产生声表面波，所述衬底在所述声表面波传播方向上设置有一凹槽，所述石墨烯设置在所述凹槽上方形成...; 樊英民刘争晖许耿钊钟海舰黄增立徐科

具有阻挡层的H等离子体处理增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT研究: 2022年; 采用H等离子体处理p-GaN盖帽层来制备p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).在p-GaN层表面上先沉积2 nm的Al_(2)O_(3)薄膜,以减少H等离子体注入p-GaN时对表面造成的损伤.经研究表明沉积Al_(2)O_(3)阻挡层的器件栅极反向泄漏电流降低了一个数量级,开关比提高了约3倍.由于栅极泄露电流的减小,关态击穿电压从410 V提高到780 V.针对栅极反向泄漏减小的现象,进行了变温I_(G)-V_(G)测试,验证了栅极反向泄漏电流的主导机制是二维变程跳跃(Two-dimensional variable range hopping,2D-VRH)模型.分析了减小栅极反向电流的原因是由于Al_(2)O_(3)阻挡层改变了HR-GaN的表面态,使陷阱能级的活化能升高.此外,器件动态特性也表现出更稳定的趋势,这是Al_(2)O_(3)薄膜阻挡过多的H等离子体的注入,使AlGaN势垒和沟道陷阱态数量减少,电流崩塌效应减弱.; 黄兴杰邢艳辉于国浩宋亮黄荣黄增立韩军张宝顺范亚明

等离激元窄带吸收薄膜: 本发明提供一种等离激元窄带吸收薄膜，包括基底层及设置于所述基底层表面的介质层，还包括设置在所述介质层表面的隔离层及设置在所述隔离层表面的介电颗粒层，所述介电颗粒层由多个介电颗粒按一定周期排列形成。本发明的优点在于：1、相...; 黄增立王建峰刘争晖徐耿钊钟海舰樊英民徐科; 文献传递

电场增强结构: 本发明提供一种电场增强结构，包括基底层及设置在所述基底层表面的介质层，还包括设置在所述介质层表面的隔离层及设置在所述隔离层表面的介电颗粒层，所述介电颗粒层由多个介电颗粒形成，所述介电颗粒的折射率大于所述隔离层的折射率。本...; 黄增立王建峰刘争晖徐耿钊钟海舰樊英民徐科; 文献传递

用于近场光学显微镜的探针及其制备方法: 本发明提供一种用于近场光学显微镜的探针，包括悬臂梁基底、设置在所述悬臂梁基底上的半导体针尖，设置在半导体针尖上的两个金属电极，所述两个金属电极相对设置，所述半导体针尖与两个金属电极形成用于将光信号转换为电信号的金属‑半导...; 徐耿钊樊英民刘争晖钟海舰黄增立徐科; 文献传递