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杨毓俊

作品数：35 被引量：7H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇电路
  • 10篇电平位移
  • 7篇电阻
  • 5篇电源
  • 4篇电平
  • 4篇电压
  • 4篇振荡器
  • 4篇回路电阻
  • 4篇放大器
  • 3篇电路版图
  • 3篇电容
  • 3篇信号
  • 3篇双脉冲
  • 3篇偏置
  • 3篇偏置电路
  • 3篇箝位
  • 3篇箝位电路
  • 3篇滤波电路
  • 3篇脉冲
  • 3篇开关电源

机构

  • 31篇电子科技大学

作者

  • 31篇杨毓俊
  • 29篇方健
  • 18篇王泽华
  • 18篇管超
  • 18篇黎俐
  • 18篇吴琼乐
  • 18篇陈吕赟
  • 18篇柏文斌
  • 12篇陶垠波
  • 10篇唐莉芳
  • 9篇臧凯旋
  • 8篇潘福跃
  • 7篇吴杰
  • 6篇罗杰
  • 5篇于廷江
  • 5篇李文昌
  • 4篇谷洪波
  • 4篇向莉
  • 3篇梁晨陇
  • 3篇黄国辉

传媒

  • 1篇电子制作
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 16篇2012
  • 8篇2011
  • 1篇2010
共 35 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种集成变压器
本发明公开了一种集成变压器，具体包括初级线圈和次级线圈，所述初级线圈和次级线圈包括至少一个第一导体层导线、至少一个第二导体层导线和至少一个连接孔。本发明利用相邻的两层导体构成的空心互耦线圈形成集成变压器，所述的集成变压器...
方健杨毓俊黎俐唐莉芳王泽华柏文斌陈吕赟吴琼乐管超李曼梁晨陇
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一种SOI横向绝缘栅双极型晶体管器件
本发明涉及一种SOI横向绝缘栅双极型晶体管器件，包括衬底、埋氧层、漂移区、第一阴极区、阴极体区、缓冲层、第一阳极区、第二阴极区、阴极金属电极、阳极金属电极、多晶硅栅、氧化层、衬底金属电极，在阳极端的阳极金属电极下表面位置...
方健陈吕赟柏文斌王泽华吴琼乐管超李文昌于廷江杨毓俊黎俐
一种开关电源电路
本发明公开了一种开关电源电路，包括：开关管，第一分压电阻、第二分压电阻，电感元件，续流二极管，负载单元，负载电流检测单元，比较器，D锁存器，模数转换器，数模转换器，PWM工作模式栅驱动电压产生单元，第一放大器，PWM比较...
方健陶垠波吴杰潘福跃杨毓俊唐莉芳黎俐臧凯旋
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电荷泵电路
本发明公开了一种电荷泵电路，具体包括：启动单元、阈值基准单元、电流镜单元和运算放大器，具体连接关系是：所述启动单元为阈值基准单元和电流镜单元提供启动电压，所述运算放大器的输出端分别与阈值基准单元的输入端和电流镜单元的第一...
方健贾姚瑶陶垠波杨毓俊臧凯旋袁同伟李源彭宜建谷洪波
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一种电流采样电路
本实用新型公开了一种电流采样电路，包括第一NMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管，第一电阻，其特征在于，还包括第一单端输出运算放大器，第二单端输出运算放大器，第三单端输出运算放大器，第一双端输出运算放大器，第二双端输...
方健王泽华吴琼乐陈吕赟管超柏文斌杨毓俊黎俐
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一种三阶补偿带隙基准电压源
本发明公开了一种三阶补偿带隙基准电压源，包括：第一PMOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻以及第一放大器。本发明的基准电压源，提供了一种简单的三...
方健吴杰杨毓俊陶垠波臧凯旋唐莉芳黎俐潘福跃谷洪波
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一种三阶补偿带隙基准电压源
本发明公开了一种三阶补偿带隙基准电压源，包括：第一PMOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻以及第一放大器。本发明的基准电压源，提供了一种简单的三...
方健吴杰杨毓俊陶垠波臧凯旋唐莉芳黎俐潘福跃谷洪波
一种电平位移电路
本发明公开了一种电平位移电路。针对现有的电平位移电路不能同时实现较小的电路版图的面积和不同占空比输入电压都可以有效的电平位移的缺陷，本发明提出了一种电平位移电路，包括双脉冲产生与整形电路、高低电平位移转换电路、高压脉冲滤...
方健柏文斌管超吴琼乐王泽华高大伟陈吕赟杨毓俊罗杰
一种高压LDMOS器件
本发明涉及一种高压LDMOS器件，包括衬底、位于衬底之上的外延层，位于外延层之上靠漏区一侧且下表面与外延层的下表面重合的漂移区，位于LDMOS器件两端的漏区和源区，在衬底和外延层的交界面上跨过外延层的下表面具有交替排列的...
方健陈吕赟管超王泽华吴琼乐柏文斌杨毓俊黎俐
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一种高压电平位移电路
本发明公开了一种高压电平位移电路。针对现有的高压电平位移电路不能同时减小电路版图面积和解决电路存在输出初始状态不定的问题，本发明提出了一种高压电平位移电路，包括脉冲产生电路、脉冲整形电路、第一偏置电路、箝位电路、LDMO...
方健柏文斌管超吴琼乐王泽华陈吕赟杨毓俊罗杰李文昌于廷江黄国辉
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