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方培源: 作品数：22 被引量：49H指数：5; 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>; 发文基金：上海市科学技术发展基金国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：理学电子电信机械工程核科学技术更多>>

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微小孔径激光器的工艺及器件功率和寿命特性分析被引量：1: 2005年; 在650nm波长半导体激光器的基础上制造出了高输出功率的微小孔径激光器.驱动电流为25mA时,输出功率达到0.4mW,最大功率可达1mW以上.叙述了微小孔径激光器的特殊的制造工艺,并分析了器件可能的失效机理.; 宋国峰甘巧强瞿欣方培源高建霞曹青徐军康香宁徐云钟源杨国华陈良惠; 关键词：近场光学半导体激光器

由版图引起的CMOS ESD保护电路失效的分析被引量：7: 2007年; ESD保护电路已经成为CMOS集成电路不可或缺的组成部分,在当前CMOS IC特征尺寸进入深亚微米时代后,如何避免由ESD应力导致的保护电路的击穿已经成为CMOS IC设计过程中一个棘手的问题。光发射显微镜利用了IC芯片失效点所产生的显微红外发光现象可以对失效部位进行定位,结合版图分析以及微分析技术,如扫描电子显微镜SEM、聚焦离子束FIB等的应用可以揭示ESD保护电路的失效原因及其机理。通过对两个击穿失效的CMOS功率ICESD保护电路实际案例的分析和研究,提出了改进ESD保护电路版图设计的途径。; 陶剑磊方培源王家楫; 关键词：静电放电

红外发光显微镜EMMI及其在集成电路失效分析中的应用: 随着超大规模集成电路(VLSI)的发展，半导体芯片中元器件的特征尺寸越来越小，已经进入了深亚微米时代。近几年新发展起来的红外发光显微技术(Emission Microscopy，EMMI)利用了IC器件中大多数缺陷都呈现...; 张滨海方培源王家楫; 关键词：超大规模集成电路; 文献传递

掺氮二氧化钛（TiO2）薄膜的SIMS剖析: 环境污染是全世界关注的焦点问题。世界上每年会产生无数有毒固体、气体和液体废物,污染了空气和水源。如何利用太阳光这一绿色能源来消除这些有害物质,是目前很受关注的研究课题。近年来,在广泛应用于降解空气和水污染物的各种氧化物半...; 方培源糜岚曹永明; 关键词：PHOTOCATALYSIS SIMS; 文献传递

Mg在GaP材料中掺杂行为的SIMS分析: 本文应用二次离子质谱技术,研究了衬底温度和掺杂气体流量对Mg的掺杂浓度的影响.; 曹永明纪刚李越生方培源宗祥福; 关键词：镁发光材料; 文献传递

Cu互连工艺中Ta基扩散阻挡层的二次离子质谱剖析: 在集成电路工艺中,硅芯片上的电子组件是采用金属导线将它相互连接起来。可作互连导线的金属有Al、Au、Ag、Cu和Ti等。集成度并不高的传统IC工艺中,使用的金属是Al。但铝在硅中容易发生电迁移、发生Al/Si共熔的“铝吃...; 曹永明方培源姜蕾; 文献传递

SOI材料中绝缘层界面处离子注入氟的SIMS剖析: Silicon-on-insulator (SOI) is well known as “new technology of Si semiconductor IC process in 21 Contrary”. Re...; 方培源曹永明; 关键词：SILICON-ON-INSULATOR SIMS FLUORINE; 文献传递

红外发光显微镜及其在集成电路失效分析中的应用被引量：5: 2008年; 随着超大规模集成电路的发展,半导体芯片中元器件的特征尺寸越来越小,已经进入了深亚微米时代。近几年新发展起来的红外发光显微镜技术,能利用集成电路(IC)器件中大多数缺陷都呈现微弱红外发光的现象,迅速准确地定位失效点,成为对IC进行失效缺陷定位的有力工具。本文介绍了半导体的发光机理,红外发光显微镜的基本结构、主要部件及技术特点。通过对两个IC失效样品的分析实例,介绍红外发光显微镜及其补充技术——激光束诱导电阻率变化测试技术在IC失效分析中的具体应用。; 张滨海方培源王家楫; 关键词：集成电路

Mg在GaP材料中掺杂行为的SIMS分析: 2000年; Mg of Gap doping characteristics in MOCVD have been studied by using SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry) measurement. The experimental results show that the Mg incorporation is considered to be limited by Mg revaporization from the growth surface under the higher temperature and the Mg electrical activity decreases with increasing cP2Mg flow-rate. The activation energy of Mg in GaP is also respectively obtained.; 李越生方培源宗祥福; 关键词：镁掺杂 SIMS分析

二次离子质谱分析被引量：10: 2003年; 一、引言二次离子质谱(SecondaryIon Mass Spectrometry)是一种用于分析固体材料表面组分和杂质的分析手段.通过一次离子溅射,SIMS可以对样品进行质谱分析、深度剖析或成二次离子像.; 王铮曹永明李越生方培源; 关键词：SIMS