利用磁控溅射系统,N2和Ar作为溅射气体,生长N掺杂Zn O薄膜。溅射气氛中氮气流量分别为0,8,20,32 m L/min,通过改变氮气的流量,研究薄膜性能的变化。结果发现,随着溅射气氛中氮气流量的增加,薄膜的电阻率增加,薄膜中NO与(N2)O的掺杂浓度同时在变大。当氮气流量为8 m L/min时,N的有效掺杂效率最高。另外,随着溅射气氛中氮气流量的增加,薄膜的厚度在减小。
采用溶胶-凝胶法制备固体电解质Ce_(0.8)Pr_(0.2-x)Sm_(x)O_(2-δ)(x=0.02,0.05,0.10).XRD结果表明:800℃煅烧后的全部样品皆为单一的立方萤石型结构,平均晶粒尺寸为19~28 nm;Raman光谱结果表明:立方萤石结构的Ce_(0.8)Pr_(0.2-x)Sm_(x)O_(2-δ)固溶体中存在氧空位,在Ce_(0.8)Pr_(0.2-x)Sm_(x)O_(2-δ)中掺入钐可提高氧空位浓度;阻抗谱测试表明:稀土双掺杂Ce_(0.8) Pr 0.15 Sm 0.05 O 2-δ的电导率高于单一稀土掺杂Ce_(0.83)Sm_(0.17)O_(2-δ)的电导率,且Ce_(0.8)Pr_(0.15)Sm_(0.05)O_(2-δ)的电导率最大,σ600℃为1.2×10^(-2)S/cm,这归因于样品Ce_(0.8)Pr_(0.15)Sm_(0.05)O_(2-δ)中较高的氧空位浓度和小极化子的跃迁.
