您的位置： 专家智库 > >

潘越

作品数：30 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇中文专利

领域

  • 5篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信

主题

  • 24篇存储器
  • 10篇电路
  • 5篇电极
  • 4篇电压
  • 4篇神经元
  • 4篇神经元电路
  • 4篇突触
  • 4篇沟道
  • 4篇多值
  • 4篇并联
  • 3篇一致性
  • 3篇纳米
  • 3篇金属
  • 3篇聚对二甲苯
  • 3篇非易失性
  • 3篇侧墙
  • 2篇单元电路
  • 2篇等差
  • 2篇等离子体化学...
  • 2篇低电压

机构

  • 30篇北京大学

作者

  • 30篇潘越
  • 30篇黄如
  • 26篇蔡一茂
  • 13篇谭胜虎
  • 11篇唐昱
  • 11篇王宗巍
  • 10篇黄英龙
  • 9篇张丽杰
  • 9篇张耀凯
  • 9篇杨庚雨
  • 6篇陈诚
  • 5篇唐粕人
  • 5篇毛俊
  • 5篇黎明
  • 4篇刘业帆
  • 2篇白文亮
  • 2篇邝永变
  • 2篇秦石强
  • 2篇高德金
  • 2篇于哲

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 6篇2014
  • 4篇2013
  • 9篇2012
  • 2篇2010
共 30 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种高一致性的高速阻变存储器及其制备方法
本发明涉及一种高一致性的高速阻变存储器及其制备方法，阻变存储器包括：底电极、阻变材料薄膜和顶电极，底电极在衬底上，阻变材料薄膜有金属掺杂，掺杂的金属同时满足低导热率和高吉布斯自由能。通过离子注入方法在阻变材料薄膜中注入相...
黄如余牧溪蔡一茂王宗巍潘越方亦陈黎明
文献传递
基于阻变忆阻器的时间关联学习神经元电路及其实现方法
本发明公开了一种基于阻变忆阻器的时间关联学习神经元电路及其实现方法。本发明利用阻变忆阻器的开关特性，当其两端被两个激励信号同步选定时，将会在器件的两端形成可以使其发生阻变的电压压降，从而实现这个突触连接的开断，实现两个激...
黄如张耀凯蔡一茂杨帆潘越王宗巍方亦陈
文献传递
一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制办法
本发明公开了一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制方法。本发明的多值阻变存储器包括：n个阻变存储器R1至Rn以及n+1个端口ln1至lnn+1，n个阻变存储器中的每一个为二值阻变存储器，n个阻变存储器通过n-1个端口...
黄如杨庚雨张耀凯陈诚潘越蔡一茂谭胜虎唐昱黄英龙毛俊白文亮
文献传递
一种高一致性的阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种高一致性的阻变存储器及其制备方法，采用衬底硅的图形化区域做底电极并与选择性重掺杂相结合的方法，通过选择合适的离子注入方向，使电场能可控的集中到局域的尖峰范围内，从而使每次操作以及每个器件的阻变行为发生在同...
黄如余牧溪蔡一茂方亦陈潘越黎明
文献传递
基于非化学剂量比的氮氧硅的双极阻变存储器及制备方法
本发明提供了一种基于非化学剂量比即富含硅的氮氧硅(SiO<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>)阻变材料的双极阻变存储器及其制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和...
张丽杰黄如潘越
一种阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器包括一衬底，衬底上设置绝缘层和底电极，在底电极上设有隔离层和第一层阻变薄膜，所述隔离层形成凹槽状器件区域，所述第一层阻...
黄如余牧溪蔡一茂王宗巍潘越郭彬彬方亦陈黎明
文献传递
基于非化学剂量比的氮氧硅的双极阻变存储器及制备方法
本发明提供了一种基于非化学剂量比即富含硅的氮氧硅(SiO<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>)阻变材料的双极阻变存储器及其制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和...
张丽杰黄如潘越
文献传递
一种阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器包括一衬底，衬底上设置绝缘层和底电极，在底电极上设有隔离层和第一层阻变薄膜，所述隔离层形成凹槽状器件区域，所述第一层阻...
黄如余牧溪蔡一茂王宗巍潘越郭彬彬方亦陈黎明
文献传递
一种自路由单元电路及其控制方法
本发明公开了一种自路由单元电路及其控制方法。本发明的电路适用于大规模互联的神经网络系统中，前神经元与两个以上后神经元的突触连接采用自路由单元电路，具有两条以上并联的支路，每条并联支路由一个或者多个双极阻变忆阻器构成，每条...
黄如杨庚雨蔡一茂潘越谭胜虎张耀凯陈诚黄英龙唐昱
一种纳米尺寸阻变存储器小孔的制备方法
本发明公开了一种纳米尺寸阻变忆阻器小孔的制备方法。本发明的制备方法利用牺牲层腐蚀法来制备纳米尺寸阻变忆阻器的小孔，小孔的方向可以是垂直的，可以是水平的，也可以是任何其他方向。本发明所提供的制备方法可以用来制备任何形状的小...
黄如杨庚雨孙帅谭胜虎张丽杰黄英龙张耀凯唐昱潘越蔡一茂毛俊
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0