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周增圻: 作品数：17 被引量：20H指数：3; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学更多>>

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分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析被引量：2: 1999年; 运用透射电子显微镜分析了分子束外延的立方相ＧａＮ／ＧａＡｓ异质微观结构．在ＧａＮ外延层中，观察到大量的、不对称的｛１１１｝面缺陷（层错和微孪晶），以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列。; 韩培德杨海峰杨辉林耀望张泽李新峰周增圻; 关键词：砷化镓电子显微分析分子束外延

化学束外延在光电子技术应用中的进展: 1995年; 本文简要介绍了ＣＢＥ技术，综述了近年来ＣＢＥ在光电子技术领域内取得的进展。; 周增圻; 关键词：化学束外延光电子技术化学汽相淀积

MBE InGaAs/GaAs外延层晶胞弛豫直接测量的X射线双晶衍射方法被引量：2: 1997年; 本文采用了以解理面为衍射基面，直接测量水平弛豫的方法测量了InxGa1-xAs（衬底为GaAs，x～0．1）外延层的应变及其弛豫状态．在以解理面为衍射基面的衍射曲线上清楚地观测到了衬底峰与外延峰的分裂．表明当InGaAs层厚度较厚（～2μm）时，InGaAs外延层与衬底GaAs已处于非共格生长状态，同时发现大失配的InGaAs晶胞并没有完全弛豫恢复到自由状态．其平行于表面法线的晶格参数略大于垂直方向上的晶格参数（△a／a～10-3）．并且晶胞在弛豫过程中产生了切向应变．在考虑了切向应变的基础上准确地确定出了InGaAs层的In组分x．; 庄岩王玉田马文全林耀望周增圻; 关键词：MBE MOCVD 外延层 X射线双晶衍射

三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化: 1998年; 本文首次报道了在腐蚀图形的（３１１）Ａ衬底上，一种新型三角形点结构的ＭＢＥ生长及其量子阱限制能量的横向变化研究．原子力显微镜三维图象清晰地显示出在原腐蚀凹面图形之间的平面区域，ＭＢＥ选择性生长形成了均匀的三角形收缩结构，其尖角沿［２３３］方向，收缩面由对称的｛１１１｝Ａ面构成．低温阴极荧光谱和图象测试研究结果表明：这种点状外延结构存在三个分离的荧光发射区域，分别对应于三个不同的激发光波长．说明这种点结构中量子阱层厚度的变化引入了量子阱限制能量的横向变化．低温微区光致发光谱测试得到高度可分辨的三个发光峰，结果说明在围绕点状结构顶部区域形成了１３ｍｅＶ横向势垒，且具有较高的辐射复合发光效率．; 牛智川周增圻韩勤吴荣汉R.NotzelU.JahnM.RamsteinerK.H.Ploog; 关键词：MBE生长

GaAsGa基长波长(In)NAs材料系的分子束外延生长: 潘钟李联合王海张伟林耀望周增圻; 关键词：GAAS基长波长分子束外延生长

MBE生长面发射激光器的原位厚度监测: 1996年; 在ＭＢＥ生长“ＤＢＲ型结构性材料”的过程中，由于生长中的多层结构干涉效应，使高温黑体辐射谱呈现振荡现象，利用此现象辅以计算机数据拟合，可以实现ＭＢＥ生长中层次、组分和厚度的实时监控，对ＭＢＥ系统生长垂直腔型结构材料的实时质量监控有重要意义．我们首次在国内采用这项技术，利用红外高温仪对ＶＣＳＥＬ器件生长全过程（包括谐振腔）及多种组分ＤＢＲ的表观衬底热辐射振荡进行监测，采用准黑体模型，结合扫描电镜、光反射谱等结果进行了分析，理论与实验得到了较好的吻合．; 周增圻潘钟林耀望吴荣汉王圩; 关键词：MBE生长面发射激光器激光器

可用于器件的侧墙GaAs量子线列阵结构被引量：1: 1999年; 本文介绍了一种可以实用的侧墙式ＧａＡｓ量子线及其列阵结构．沿〔０１－１〕方向腐蚀条形的（３１１）Ａ衬底上，分子束外延生长的各向异性导致了侧墙量子线结构的形成．用光栅刻蚀方法，制备了横向周期为１μｍ、纵向三层叠加的三维侧墙量子线列阵．阴极荧光谱研究表明：在５Ｋ下，发光主要来自量子线区域，在两侧的量子阱区域只有很弱的发光峰；认为低温下载流子主要束缚在量子线区域，在量子阱区域也有少量载流子被外延层涨落产生的局域态所束缚．随温度升高到８５Ｋ以上直至室温下，只能观察到来自量子线区域的发光峰．这是由于束缚在量子阱局域态中的载流子大部分由于热激发而弛豫至量子线区域，参与量子线的发光．这种量子线列阵横向限制能量达到了２２０ｍｅＶ，表明该量子线列阵结构可以用于制备发光等实用器件．; 牛智川周增圻潘钟吴荣汉; 关键词：砷化镓

氢原子辅助MBE生长对GaAs外延面形貌的影响被引量：1: 1998年; 本文研究了ＭＢＥ通常生长条件和氢原子辅助生长条件下（１００）、（３３１）、（２１０）、（３１１）等表面外延形貌的变化．原子力显微镜ＡＦＭ测试的结果表明：（１００）表面在氢原子辅助生长条件下外延面的岛状起伏变得更为平坦，二维生长模式得到增强；（３３１）面在两种条件下均显示出台阶积累（ｓｔｅｐｂｕｎｃｈｉｎｇ）式生长，而氢原子辅助生长则减小了台阶结构的横向周期；（２１０）面在氢原子辅助生长下也使原表面存在的岛状结构尺寸减小；在（３１１）表面氢原子诱导的作用明显地增强了台阶积累生长模式．本文认为氢原子诱导作用机制在于：外延面台阶处Ａｓ原子和Ｈ原子结合减小了表面结合能，导致Ｇａ原子表面迁移长度的减小，增强了台阶积累生长效应；而对于平坦的（１００）表面氢原子的诱导作用使得Ｇａ迁移长度增加，导致二维生长模式的进一步增强．; 牛智川周增圻吴荣汉; 关键词：砷化镓 MBE

InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究被引量：1: 1997年; 提出了新型ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变脊形量子线结构．这种应变脊形量子线结合了非平面应变外延层中沿不同晶向能带带隙的变化、非平面生长应变层Ｉｎ组分的变化，以及非平面外延层厚度的变化等三方面共同形成的横向量子限制效应的综合作用．在非平面ＧａＡｓ衬底上用分子束外延生长了侧面取向为（１１３）的脊形ＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＡｓ应变量子线．用１０Ｋ光致荧光谱测试了其发光性质．用ＫｒｏｎｉｇＰｅｎｎｅｙ模型近似计算了这种应变脊形结构所具有的横向量子限制效应，发现其光致荧光谱峰位的测试结果，与计算结果相比，有１０ｍｅＶ的“蓝移”．认为这一跃迁能量的“蓝移”; 牛智川周增圻林耀望李新峰张益胡雄伟吕振东袁之良徐仲英; 关键词：量子线分子束外延 INGAAS 砷化镓

GaAs均匀点状结构的分子束外延图形生长: 1998年; 报道了在（３１１）Ａ腐蚀图形衬底上，用分子束外延（ＭＢＥ）生长高度规则的三种点状结构的实验研究．样品表面的原子力显微镜和剖面的扫描电子显微镜测试结果表明，在不同尺寸的方形凹面腐蚀图形区域，原凹面之间形成了沿［２３３］晶向不完全和完全收缩的尖角形点状外延结构；而在方形台面腐蚀图形区域，台顶面之间形成了沿［２３３］方向收缩的脊形点状结构．分析认为这些均匀有序的三角形点状结构的形成是由非平面（３１１）Ａ衬底上生长各向异性导致的必然结果，而构成这些点结构的晶面取向与原图形的取向相关．低温阴极荧光谱测试结果清晰地表明，在这些点状结构区域形成了短线状、环状、网状和点状发光．这是由于点状结构区域量子阱限制能量的横向变化所引起的．预期通过进一步减小图形尺寸，这种在（３１１）Ａ衬底上由于腐蚀图形而引入的表面形貌有序化生长现象，可以被用于三维量子限制结构的直接制备．; 牛智川周增圻吴荣汉封松林R.NOETZELU.JAHNK.H.PLOOG; 关键词：砷化镓分子束外延

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