运用扫描电子显微镜(SEM)、电子背散射衍射(EBSD)和取向成像显微技术(OIM)研究了690合金的晶界特征分布及晶界特征分布对晶间腐蚀性能的影响。低ΣCSL(coincidence site lattice,Σ≤29)晶界比例高(72.5%)时会出现大尺寸的晶粒团簇,团簇内部晶粒互有Σ3n取向差关系。当低ΣCSL晶界比例低(46.7%)时,这种晶粒团簇的大小和内含Σ3n晶界数量都降低。运用Palumbo-Aust标准统计晶界特征分布时,大尺寸的晶粒团簇之间的随机晶界的连通性几乎不会被打断;但运用Brandon标准统计时,这些随机晶界连通性明显被一些相对偏差较大的低ΣCSL晶界打断。低ΣCSL晶界比例高的样品比低ΣCSL晶界比例低的样品明显耐晶间腐蚀。
利用背散射电子衍射花样(EBSD),分析了冷轧变形量、退火温度和保温时间对高纯铝晶界特征分布的影响,并探讨了纯铝的变形再结晶行为与低∑重位点阵晶界(Coincidence Site Lattice,简称CSL)大量形成之间的内在联系。结果表明,变形量20%的试样在360℃退火时低∑-CSL晶界比例达到了44.2%,与低层错能金属相比,铝的∑3n晶界比例较低,其他低∑-CSL晶界比例较高。不同变形量试样的∑3n晶界比例在再结晶温度退火取得最大值,升高退火温度或延长保温时间,晶粒都将发生长大,一般大角度晶界的迁移会吞并已有的低∑-CSL晶界,造成∑3n晶界和低∑-CSL晶界比例都有所下降。
应用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、电子背散射衍射(Electron Back Scatter Diffraction,EBSD)研究了316SS(Stainless Steel,SS)晶界特征分布(grain boundary character distribution,GBCD)的优化工艺;低温长时间和高温短时间的退火工艺(退火温度,退火时间和冷变形量)对316SS低ΣCSL晶界比例的影响。冷变形5%的固溶316SS经40min再结晶退火后低ΣCSL晶界比例达到80%,其中Σ3晶界比例占80%,退火时间大于40min后低ΣCSL晶界比例下降。
