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袁剑峰
作品数:
11
被引量:31
H指数:4
供职机构:
中国科学院长春物理所
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发文基金:
中国科学院院长基金
“九五”国家科技攻关计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
吴渊
中国科学院长春物理所
黄锡珉
中国科学院长春物理所
刘传珍
中国科学院长春物理所
李牧菊
中国科学院长春物理所
杨柏梁
中国科学院长春物理所
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1999
3篇
1996
1篇
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11
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TFT AMLCD像素矩阵电路中栅延迟的模拟研究
被引量:4
1999年
建立了a-SiTFTAMLCD的等效电路模型,综合考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及TFT导电沟道电容构成的RC(ResistivityCapacitance)常数,模拟计算了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及栅信号电极材料的依赖关系,为实现器件优化设计提供参考。
李牧菊
杨柏梁
朱永福
刘传珍
袁剑峰
吴渊
廖燕平
关键词:
TFT
AMLCD
信号延迟
液晶显示器
硅基TFT有源矩阵液晶显示技术
被引量:8
1999年
介绍了薄膜晶体管(TFT),特别是p-Si(多晶硅)TFT矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性。
刘传珍
杨柏梁
朱永福
李牧菊
袁剑峰
王刚
吴渊
刘洪武
黄锡珉
关键词:
多晶硅
薄膜晶体管
有源矩阵液晶显示
无序的HAN ECB-LCD
1996年
采用不摩擦技术制备了无序的混合排列型ECB液晶盒,研究了盘中液晶的微观织构,分析了它的电光特性和视角特性.结果表明,该液晶盒是多畴结构,具有很多向错,并具有三色峰值电压分离较好、工作电压低、视角在整个平面内具有方位角对称性的特点.
孙睿鹏
袁剑峰
邵喜斌
于涛
黄锡珉
关键词:
透过率
液晶显示器
电光特性
有色滤光薄膜
本发明提供了一种有色滤光薄膜,主要应用于液晶显示多色化和彩色化。;本发明以正硅酸乙酯为基质材料,采用凝胶方法在无色玻璃和导电玻璃(ITO)表面上制备附着力强的有色玻璃滤光薄膜。该薄膜耐紫外线辐射,耐高温,化学性能稳定。
马凯
黄锡珉
富淑清
朱希玲
袁剑峰
吴渊
马仁祥
凌志华
文献传递
真空压制液晶屏方法
本发明公开了一种真空压制液晶屏方法。;本发明采用的技术方案是用抽真空技术通过液晶注入口抽真空使液晶屏内形成负压或使液晶屏内和液晶屏局部外部形成负压,使外部环境气压对液晶屏形成压力,同时加热,使密封胶固化。
马凯
黄锡珉
朱希玲
马仁祥
孙∴鹏
凌志华
邵喜斌
袁剑峰
文献传递
温度对TN-LCD某些参量的影响
1994年
本文研究了TN—LCD的有关参量γ、τ_r、τ_d、V、Δξ和Κ等对温度Τ(4℃ —70℃)变化关系,用计算机拟合方法给出了相应参量与温度经验式,讨论了有关问题。
富淑清
吴渊
邵喜斌
王宗凯
张传平
袁剑峰
关键词:
TN
液晶显示器
温度效应
一种彩色液晶显示器件
本实用新型公开了一种彩色液晶显示器件,由可分别选通的三基色背光源和控制光透过率的液晶显示屏组成。控制和驱动电路使背光源的红、绿、兰三色光按30~200Hz频率,按顺序分别选通,使液晶显示屏的象素按显示内容控制光透过率,根...
邵喜斌
袁剑峰
黄锡珉
凌志华
荆海
马凯
文献传递
金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究
被引量:12
2001年
利用金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/ Ni的低温晶化 ,MIC晶化温度能降低到 44 0℃ .采用 XRD、Raman、SEM、XPS等分析手段研究了 Ni- MIC多晶硅薄膜的特性 ,对薄膜结构和组成进行了分析 。
刘传珍
杨柏梁
袁剑峰
李牧菊
吴渊
寥燕平
张玉
王大海
黄锡珉
关键词:
金属诱导晶化
多晶硅
周边集成AMLCD的信号失真和缓冲寄存器TFT尺寸计算
1999年
建立了有源矩阵液晶显示器中周边驱动缓冲寄存器的等效电路模型。利用 T F T 的线性近似和 Elm ore 模型, 计算了周边驱动电路中的信号失真, 讨论了栅延迟与金属栅电极材料的关系及对 T F T 开态电阻的要求。
刘传珍
杨柏梁
李牧菊
朱永福
袁剑峰
寥燕平
吴渊
黄锡珉
关键词:
薄膜晶体管
有源矩阵液晶显示
氢化非晶硅的红外光谱及氢释放的研究
被引量:6
1999年
用等离子体增强化学气相淀积( P E C V D)制备了氢化非晶硅薄膜(a Si∶ H)并进行了退火实验, 利用红外吸收光谱( I R)和金相显微镜研究薄膜中的氢含量及退火前后的脱氢现象, 得出材料组成及热稳定性对衬底温度 Ts 和射频功率 Prf 的依赖关系。
李牧菊
杨柏梁
朱永福
袁剑峰
刘传珍
廖燕平
吴渊
关键词:
非晶硅
化学气相淀积
红外光谱
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