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杨冰
作品数:
29
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供职机构:
上海集成电路研发中心
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
矿业工程
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合作作者
奚鹏程
上海集成电路研发中心
肖慧敏
上海集成电路研发中心
王伟军
上海集成电路研发中心
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作者
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杨冰
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肖慧敏
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奚鹏程
年份
6篇
2020
6篇
2018
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2017
2篇
2016
1篇
2015
6篇
2014
1篇
2013
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一种抗辐照EEPROM的制造方法
本发明提供一种抗辐照EEPROM的制造方法,存储器包含器件:存储单元和外围电路的高、低压晶体管,其特征在于,各器件的源、漏极形成之前的制造方法有别于普通制造方法:将用于存储单元中浮栅极与控制栅极之间隔离的介质ONO层,同...
杨冰
奚鹏程
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采用量子点薄膜进行光电转换的图像传感器及制备方法
本发明提供了一种采用量子点薄膜进行光电转换的图像传感器及制备方法,包括:衬底,在衬底表面设置有底部隔离层;位于底部隔离层上的N层隔离层;每层隔离层中设置有相应层的金属通孔,相邻的上层金属通孔和下层金属通孔一一对应且相连接...
杨冰
周伟
胡少坚
耿阳
肖慧敏
文献传递
双层压电薄膜悬臂梁传感器结构及其制造方法
本发明公开了一种双层压电薄膜悬臂梁传感器结构及其制造方法,包括:双面抛光的半导体衬底;位于半导体衬底正面的空腔,即牺牲层腔;一固定端位于半导体衬底正面而另一活动端向所述牺牲层腔内部延伸的悬臂梁支撑结构;位于悬臂梁支撑层上...
杨冰
文献传递
多层压电薄膜悬臂梁传感器及制备方法
本发明提供了一种多层压电薄膜悬臂梁传感器及制备方法,采用牺牲层释放工艺,从正面释放牺牲层,来形成压电微悬臂梁结构,充分利用普遍采用的CMOS工艺完成,工艺简单可控,提高了压电悬臂梁传感器制造工艺与硅集成电路工艺的兼容性,...
杨冰
周伟
肖慧敏
陈力山
张莉玮
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一种抗辐照EEPROM的制造方法
本发明提供一种抗辐照EEPROM的制造方法,存储器包含器件:存储单元和外围电路的高、低压晶体管,其特征在于,各器件的源、漏极形成之前的制造方法有别于普通制造方法:将用于存储单元中浮栅极与控制栅极之间隔离的介质ONO层,同...
杨冰
奚鹏程
文献传递
一种单光子雪崩二极管探测器结构及其制造方法
本发明公开了一种单光子雪崩二极管探测器结构,包括:P型硅衬底;形成于P型硅衬底中的深N阱和深P阱,形成于深N阱和深P阱之间的第一深沟槽;形成于深N阱中的N<Sup>+</Sup>区域和P<Sup>+</Sup>区域,围绕...
杨冰
周伟
孙德明
一种图像传感器及其制作方法
本发明公开了一种图像传感器及其制作方法,该图像传感器从下往上依次包括:衬底、晶体管、金属连线、凹槽、量子点薄膜和微透镜,还包括填充在晶体管、金属连线和凹槽中的层间介质,用于隔离晶体管、金属连线和凹槽;镶嵌在层间介质顶端的...
杨冰
周伟
胡少坚
肖慧敏
文献传递
一种图像传感器及其制作方法
本发明公开了一种图像传感器,从下往上依次包括:衬底、晶体管、金属连线、凹槽和微透镜,还包括填充在晶体管、金属连线和凹槽之间的层间介质;镶嵌在层间介质顶端的凹槽数量大于等于4,且每个凹槽被层间介质隔离开,所述凹槽包括白色像...
杨冰
周伟
肖慧敏
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一种图像传感器的制备方法
本发明提供了一种图像传感器的制备方法,包括:在衬底表面依次形成底部隔离层、第一层金属互连线、第一层隔离层和第一层隔离层中的第一层金属接触孔;再重复循环上述过程,直至形成N层隔离层以及相应层的金属互连线和金属接触孔;在第N...
杨冰
周伟
胡少坚
耿阳
肖慧敏
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湿法刻蚀后的清洗方法
本发明公开了一种湿法刻蚀后的清洗方法,以保证湿法刻蚀后硅片表面满足质量检验要求。该清洗方法包括完成金属铝湿法刻蚀工艺后,进行第一次湿法去除硅屑残留;通过光刻工艺在经湿法刻蚀后的金属铝上形成光刻胶;进行光刻胶烘干;进行光刻...
杨冰
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