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陈世帛

作品数：8 被引量：3H指数：1
供职机构：厦门大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电池
  • 2篇太阳电池
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇能级
  • 2篇GAAS太阳...
  • 1篇电流-电压特...
  • 1篇电容法
  • 1篇电压特性
  • 1篇载流子
  • 1篇少数载流子
  • 1篇少子产生寿命
  • 1篇砷化合物
  • 1篇深能级
  • 1篇深能级缺陷
  • 1篇隧穿
  • 1篇隧穿效应
  • 1篇体缺陷
  • 1篇镓化合物
  • 1篇离子注入

机构

  • 5篇厦门大学

作者

  • 5篇陈世帛
  • 5篇周必忠
  • 2篇王加宽
  • 2篇闵惠芳
  • 2篇黄景昭
  • 2篇王振英
  • 1篇陈辰嘉
  • 1篇林东海
  • 1篇王学忠
  • 1篇刘继周
  • 1篇雷红兵

传媒

  • 3篇厦门大学学报...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇第四届全国发...

年份

  • 3篇1994
  • 1篇1990
  • 1篇1986
共 8 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
混晶GaAs_(1-x)P_x禁带中央附近能级的研究
1990年
用双光源光电容法研究了混晶 GaAs_(1-x)P_x(x=0.65和0.85)中禁带中央附近深中心的特性,发现所测 x=0.65和0.85的GaAs_(1-x)P_x样品中均存在一个呈空穴陷阱的深中心,其光阀值能量分别为 0.95 eV和 0.97 eV,光电容瞬态谱具有非单指数性;且在同一波长的光激发下,非单指数性随激发光强度的增大而增强。对这一深能级中心的结构及其激发过程进行了分析和讨论,提出一种多能级耦合的缺陷中心模型并用二步激发过程解释了实验结果。
黄景昭周必忠陈世帛林东海
异质面GaAs太阳电池暗电流－电压特性的隧穿效应
1994年
在２００～３００Ｋ温度内测量了由ＬＰＥ生长的异质面高效ＧａＡＬｓ太阳电池暗电流－电压特性的温度关系，对实测的Ｉ－Ｖ特性进行拟合分析，认为低温低偏压下的过剩电流，起因于耗尽层内禁带中局域态间热协助的多级带间隧穿效应．
陈世帛周必忠王加宽闵惠芳王振英
关键词：隧穿效应太阳能电池
异质面GaAs太阳电池n层少子产生寿命的测量
1994年
使用简单的微分电流和微分电容技术，从反向偏置的Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ数据计算异质面ｐｐｎＧａＡｓ太阳电池ｎ层少子产生寿命剖面图。讨论它对电池性能的影响。
陈世帛周必忠王加宽闵惠芳王振英
关键词：少数载流子太阳能电池
稀土Er离子注入InP晶体中Er发光中心的形成和光激发机制被引量：3
1994年
用离子注人法对ＩｎＰ晶体实现高浓度稀土（ＲＥ）Ｅｒ的掺杂，探索了优质材料的制作规律和条件。在低温（１０～２００Ｋ）测量了光致发光谱（ＰＬ），观测到Ｅｒ的尖锐发光峰，其峰值波长１．５３８μｍ，其发光强度较大；研究了该材料的热退火行为，Ｅｒ发光中心的形成和光激活过程；用Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射谱（ＲＢＳ）测量给出了热退火前后注Ｅｒ－ＩｎＰ晶体中Ｅｒ离子浓度的数值及深度分布；并对Ｅｒ发光中心的组成和光激发机制作了分析讨论。
周必忠陈世帛雷红兵简方方陈辰嘉王学忠刘继周
关键词：INP发光中心发光材料
用双光源光电容法研究GaAs[*v1-x*]Fx中深能级缺陷
周必忠黄景昭陈世帛
关键词：晶体缺陷能级砷化合物镓化合物磷化合物
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