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王明旭

作品数:13 被引量:19H指数:3
供职机构:兰州大学更多>>
发文基金:甘肃省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺机械工程理学更多>>

文献类型

  • 6篇会议论文
  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇溅射
  • 4篇磁控
  • 3篇纳米
  • 2篇电阻率
  • 2篇形貌
  • 2篇直流磁控
  • 2篇热法
  • 2篇热稳定
  • 2篇纳米粉
  • 2篇溅射制备
  • 2篇AR
  • 2篇沉积速率
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇低维纳米
  • 1篇低维纳米材料
  • 1篇型砂
  • 1篇性能研究
  • 1篇溶剂
  • 1篇溶剂热
  • 1篇溶剂热法

机构

  • 11篇兰州大学
  • 2篇兰州工业高等...
  • 1篇兰州理工大学

作者

  • 12篇王明旭
  • 10篇闫鹏勋
  • 6篇范晓彦
  • 5篇吴志国
  • 5篇张广安
  • 4篇岳光辉
  • 3篇王君
  • 2篇渠冬梅
  • 1篇李年春
  • 1篇耿中荣
  • 1篇魏志强
  • 1篇渠冬梅
  • 1篇闫德
  • 1篇赵学福
  • 1篇杨强

传媒

  • 3篇第六届全国表...
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇摩擦学学报(...
  • 1篇材料导报
  • 1篇兰州工业高等...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 8篇2006
  • 1篇1995
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
溶剂热法合成CoS_2纳米粉体被引量:5
2007年
本文采用溶剂热法,以CoC l2.6H2O、Na2S.9H2O为原料,乙二醇和无水乙醇为溶剂,在180℃恒温下制备出CoS2纳米粉体。用XRD和SEM、TEM对其组成、粒径大小、表面形貌进行表征,用VSM对其铁磁性进行测量。结果表明,制得的CoS2为粒度均匀、粒径分布在10~50nm之间的球形铁磁性纳米材料。
王明旭岳光辉耿中荣渠冬梅闫鹏勋
关键词:纳米粉体溶剂热法铁磁性
多功能镀膜机研制及低维纳米功能材料制备研究
近年来,低维纳米材料以其在电学、光学、磁学、力学和热学方面展现出优异的特性,从而在纳米器件、传感器、激光器等方面具有应用前景而备受关注。本论文以纳米材料的制备和应用为背景,以低维纳米材料的制备为重点,报道了一些纳米材料领...
王明旭
关键词:低维纳米材料磁控溅射水热法
文献传递
镍纳米粉的粒度研究被引量:4
2006年
采用阳极弧放电等离子体方法制备了高纯镍纳米粉末并对其粒度进行了表征。利用X射线衍射法(XRD)测试样品的晶型和粒度,用谢乐Scherrer公式计算颗粒粒度;采用透射电子显微镜(TEM)分析样品的形貌和粒度分布;采用表面吸附仪测定样品的N2吸附-脱附等温线,并由BET理论模型计算出样品的比表面积和颗粒粒度。实验结果表明三者测得的值基本一致。
王明旭魏志强李年春赵学福闫鹏勋
关键词:粒度TEM法
Al/AlN多层膜的结构和力学性能研究
采用柱状靶直流磁控溅射制备了Al、AlN薄膜和Al/AlN多层膜。Al单组分膜呈现很强的(111)衍射峰,AlN相在单层膜中呈现(100)的择优取向,而在多层膜样品中为(002)的择优取向,同时出现Al的衍射峰,相应的衍...
吴志国张广安范晓彦王明旭王君闫鹏勋
文献传递
氮化铜薄膜的半导体特性
本文采用反应射频磁控溅射法成功的制备了氮化铜(Cu3N)纳米薄膜。运用四探针法测量了薄膜的电学和半导体特性,证明了实验制备得到的Cu3N薄膜是一种n型半导体,禁带宽度约为1.18~2.6eV.
岳光辉王明旭渠冬梅闫鹏勋
关键词:电阻率
文献传递
Cu_3N薄膜的制备及其霍尔效应研究被引量:1
2006年
采用反应射频磁控溅射的方法在纯氮气气氛下、氮气流量为12 sccm、衬底温度为100℃的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜。XRD显示薄膜择优[100]晶向生长。用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察了样品的表面形貌,发现样品表面平整、结构紧密。用四探针法检测了薄膜的霍尔特性,发现随温度的降低薄膜的霍尔系数、霍尔电阻率均增加。霍尔迁移率在高温范围也呈降低的趋势,但是变化的范围比较小,在低温范围又有所增加。随温度的降低薄膜的载流子浓度降低。我们还通过变温的霍尔系数估算了氮化铜薄膜的禁带宽度约为1.35 eV。
王明旭岳光辉范晓彦闫德闫鹏勋杨强
关键词:XRDSEMAFM
Al/AlN多层膜的结构和力学性能研究
采用柱状靶直流磁控溅射制备了Al、AlN薄膜和Al/AlN多层膜。Al单组分膜呈现很强的(111) 衍射峰,AlN相在单层膜中呈现(100)的择优取向,而在多层膜样品中为(002)的择优取向,同时出现Al的衍射峰,相应的...
吴志国张广安范晓彦王明旭王君闫鹏勋
文献传递
氮化铜薄膜的半导体特性
本文采用反应射频磁控溅射法成功的制备了氮化铜(Cu3N)纳米薄膜。运用四探针法测量了薄膜的电学和半导体特性,证明了实验制备得到的Cu3N薄膜是一种n型半导体,禁带宽度约为 1.18-2.6eV.
岳光辉王明旭渠冬梅闫鹏勋
关键词:电阻率
文献传递
实样模造型起模条件及造型方法分析
1995年
在建立实样模造型的起模条件的基础上对选择合适分型面的技巧性原则进行了探讨;并就如何针对具体模样选择恰当的造型方法进行了系统地分析。
王明旭
关键词:型砂
Al/AlN多层膜的摩擦磨损性能研究被引量:9
2007年
采用柱状靶磁控溅射系统制备Al/AlN纳米多层膜,采用纳米压痕仪测量Al/AlN纳米多层膜的纳米硬度,在UMT-2M型摩擦磨损试验机上评价其摩擦磨损性能.结果表明:当AlN层较厚时,薄膜在很短时间内被磨穿;调节Al/AlN层厚比为2.9/1.1时,薄膜的摩擦磨损性能明显提高;当保持Al/AlN层厚比为2.9/1.1、变化多层膜的调制周期时,薄膜的摩擦系数较低,但硬度较低的薄膜由于承载能力不够,不能够保持优良的摩擦磨损性能.
张广安吴志国王明旭范晓彦王君闫鹏勋
关键词:磁控溅射摩擦磨损性能
共2页<12>
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