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王小伟

作品数：5 被引量：11H指数：2
供职机构：华中科技大学材料科学与工程学院材料成形与模具技术国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：化学工程一般工业技术电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电阻率
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电氧化...
  • 1篇氧化氮
  • 1篇氧化锌
  • 1篇一氧化氮
  • 1篇抑制剂
  • 1篇诱导型
  • 1篇诱导型一氧化...
  • 1篇诱导型一氧化...
  • 1篇诱导型一氧化...
  • 1篇脓毒
  • 1篇脓毒症
  • 1篇脓毒症大鼠
  • 1篇黏膜
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米粉
  • 1篇纳米粉末
  • 1篇化学沉淀
  • 1篇化学沉淀法

机构

  • 4篇华中科技大学

作者

  • 4篇王小伟
  • 2篇李晨辉
  • 2篇柯文明
  • 2篇黄帅
  • 2篇胡加佳

传媒

  • 1篇中国陶瓷
  • 1篇材料导报

年份

  • 3篇2011
  • 1篇2009
共 5 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
氧化锌镓薄膜的制备技术和研究现状被引量：1
2011年
介绍了制备GZO薄膜的各种方法,如磁控溅射法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、脉冲激光沉积法、喷雾热解法;阐述了这些方法的镀膜原理,并比较了各种工艺的优缺点。综述了GZO薄膜在单层膜领域、复合多层膜领域有机物基底上镀膜领域和薄膜后续退火处理领域的研究现状。提出了产业化过程中需要解决的问题:①制备高密度、高溅射稳定性和导电性优良的靶材;②完善现有镀膜工艺条件;③制备符合不同生产要求的薄膜。
王小伟李晨辉柯文明胡加佳黄帅
关键词：透明导电氧化物电阻率
沉淀法制备纳米氧化铟粉末
2011年
为了开发适合工业化大规模生产超细且分散性好的In2O3粉体的方法,作者以金属铟、盐酸、氨水为原料,对化学沉淀法制备纳米氧化铟粉末的过程进行了研究。通过严格控制实验条件制备出了单相、分散性好、晶粒尺寸约为30nm,粒度分布范围窄的立方晶系纳米In2O3球形粉末。
胡加佳李晨辉柯文明王小伟黄帅
关键词：化学沉淀法IN2O3纳米粉末
诱导型一氧化氮合酶抑制剂SMT对脓毒症大鼠肠黏膜细胞凋亡的影响
王小伟
关键词：脓毒症肠黏膜上皮细胞一氧化氮
GZO薄膜的制备及其光电性能研究
ZnO基透明导电氧化物薄膜有优良的光学和电学性能。掺杂Ga到ZnO薄膜(GZO)中时，GZO薄膜的晶格畸变能会比较小，在室温条件下制备GZO薄膜的光学和电学性能也比较优良。本文使用磁控溅射法沉积GZO透明导电薄膜。　　 ...
王小伟
关键词：透明导电氧化物磁控溅射法电阻率光电性能
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