您的位置： 专家智库 > >

唐宁

作品数：70 被引量：28H指数：3
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 32篇专利
  • 16篇期刊文章
  • 14篇会议论文
  • 5篇学位论文

领域

  • 27篇电子电信
  • 12篇理学
  • 7篇一般工业技术
  • 2篇经济管理
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇政治法律
  • 1篇文化科学

主题

  • 16篇半导体
  • 15篇二维电子
  • 14篇二维电子气
  • 11篇自旋
  • 11篇发光
  • 10篇光谱
  • 9篇氮化镓
  • 9篇导体
  • 9篇异质结
  • 8篇光致
  • 8篇光致发光
  • 7篇氮化物
  • 7篇输运
  • 7篇半导体材料
  • 7篇XGA
  • 7篇GAN异质结...
  • 6篇AL
  • 6篇X
  • 5篇势垒
  • 5篇隧穿

机构

  • 57篇北京大学
  • 11篇中国科学院
  • 10篇南京大学
  • 1篇广西大学
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇兰州大学
  • 1篇解放军理工大...
  • 1篇清华大学
  • 1篇太原理工大学

作者

  • 67篇唐宁
  • 52篇沈波
  • 23篇许福军
  • 21篇王新强
  • 17篇杨学林
  • 7篇李国平
  • 7篇张洁
  • 7篇冯玉霞
  • 6篇秦志新
  • 6篇张国义
  • 6篇韩奎
  • 6篇桂永胜
  • 6篇褚君浩
  • 5篇刘星辰
  • 4篇吴珊
  • 4篇郭少令
  • 4篇卢芳超
  • 4篇周文政
  • 4篇刘开辉
  • 4篇张智宏

传媒

  • 6篇物理学报
  • 3篇Journa...
  • 2篇中国科学：物...
  • 2篇第十六届全国...
  • 1篇神州学人
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学进展
  • 1篇稀有金属
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇2006年全...
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 3篇2025
  • 5篇2024
  • 6篇2023
  • 4篇2022
  • 3篇2021
  • 3篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 3篇2008
  • 4篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
共 70 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
基于纳米图形硅衬底制备高质量厚膜AlN的方法
本发明公开了一种基于纳米图形硅衬底制备高质量厚膜AlN的方法，通过该方法获得的层状叠加AlN材料，从下向上依次为：纳米图形硅衬底、纳米图形AlN成核层、高温AlN横向生长层和高温AlN纵向生长层，在纳米图形硅衬底、纳米图...
杨学林沈波沈剑飞张洁冯玉霞许福军王新强唐宁
文献传递
一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、N型掺杂层、N型纳米线、多量子阱、P型掺杂层、绝缘材料、P型电极和N型电极；N型纳米线和多量子阱构成核-壳结构；通过设计图形化衬底的排布...
王新强王平荣新盛博文唐宁郑显通马定宇荀坤沈波
文献传递
一种表面自氧化的氮化镓自旋注入结制备方法
本发明公开了一种表面自氧化的氮化镓自旋注入结制备方法，采用原子层沉积系统的远端氧等离子体吹扫GaN单晶薄膜，使氧初始附着氮化镓表面；然后采用氧化物分子束外延统，在高温下利用臭氧氧化氮化镓表面，在GaN表面形成一层薄的氧化...
唐宁孙真昊陈帅宇张仕雄樊腾姜稼阳李国平沈波
单层二硫化钼(MoS2)导带底在流体静压力下从K点到Λ点的转变
单层二硫化钼(MoS2)是重要的二维材料，由于它的宽禁带、强库伦作用和自旋-轨道相互作用，它在光电子学、自旋电子学和能谷电子学方面都有很大的潜在应用价值。
付雷唐宁万逸丁以民高静余佳晨管鸿明张琨王维颖张彩凤史俊杰巫翔葛惟昆戴伦沈波
关键词：流体静压力
光照对AlzGa1-zN/GaN异质结子带结构的影响
在极低温和强磁场下通过变温Shubnikov-de Haas(SdH)振荡测量，研究了AlXGa1-xN/GaN异质结的子带结构。观察到了磁致子带间散射效应。光照激发了GaN中的电子，使AlxGa1-xN/GaN异质界面...
唐宁周文政商丽燕郭少令褚君浩沈波王茂俊韩奎杨志坚徐科张国义林铁朱博
关键词：异质结持续光电导
文献传递
一种在Si(100)衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法
本发明公开了一种在Si(100)衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括：在Si(100)衬底上形成非晶SiO<Sub>2</Sub>层；将单晶石墨烯转移至Si(100)/SiO<Sub>2</Sub>衬底上；对单晶石墨烯表...
杨学林沈波冯玉霞张智宏刘开辉张洁许福军王新强唐宁
文献传递
Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气的自旋性质
2009年
Ⅲ族氮化物材料有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度,成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一。介绍了目前两种最主要的研究AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)自旋性质的物理效应:磁电阻的舒伯尼科夫-德哈斯拍频振荡和弱反局域效应,回顾了AlxGa1-xN/GaN异质结构中2DEG自旋性质的研究进展。AlxGa1-xN/GaN异质结构材料中有很强的极化电场,诱导产生很高浓度的2DEG,能够产生相当大能量的自旋分裂,并且这种自旋分裂可以被栅压所调控,因此在自旋场效应晶体管方面有很好的应用前景。然而要实现GaN基自旋电子学器件的应用,GaN中自旋注入效率是目前所面临的问题。
唐宁沈波韩奎
关键词：二维电子气自旋磁输运
化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法
本发明公布了一种化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法。首先制备用于确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的原生样品，然后将部分原生样品进行退火操作，制得退火样品；利用高温退火操作实现替代阳离子位置...
杨学林沈波徐越吴珊宋春燕张洁冯玉霞许福军唐宁王新强
文献传递
Al_xGa_(1-x)N/GaN调制掺杂异质结构的子带性质研究被引量：4
2004年
通过低温和强磁场下的磁输运测量研究了Al0 2 2 Ga0 78N GaN调制掺杂异质结构中 2DEG的子带占据性质和子带输运性质 .在该异质结构的磁阻振荡中观察到了双子带占据现象 ,并发现 2DEG的总浓度随第二子带浓度的变化呈线性关系 .得到了该异质结构中第二子带被 2DEG占据的阈值电子浓度为 7 3× 10 1 2 cm- 2 .采用迁移率谱技术得到了不同样品的分别对应于第一和第二子带的输运迁移率 .发现当样品产生应变弛豫时第一子带的电子迁移率骤然下降 ,而且第二子带的电子迁移率远大于第一子带的电子迁移率 .用电子波函数分布和应变弛豫时的失配位错散射解释了上述现象 .同时进一步说明了界面粗糙散射和合金无序散射是决定AlxGa1 -xN GaN异质结构中
郑泽伟沈波桂永胜仇志军唐宁蒋春萍张荣施毅郑有炓郭少令褚君浩
关键词：二维电子气
一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法
本发明公开了一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括：将单晶石墨烯转移至多晶或非晶衬底上；对单晶石墨烯表面进行预处理，产生悬挂键；生长AlN成核层；外延生长氮化镓单晶薄膜。本发明利用可转移的单晶石墨烯为氮化物...
杨学林沈波冯玉霞张智宏刘开辉张洁许福军王新强唐宁
全选 清除 导出
共7页<1234567>
聚类工具0