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马宏舟

作品数：5 被引量：12H指数：2
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：机械工程理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单色仪
  • 1篇氮离子注入
  • 1篇正入射
  • 1篇入射
  • 1篇全自动
  • 1篇离子注入
  • 1篇绝对测量
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱仪
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇高能
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇N^+注入
  • 1篇波长
  • 1篇波长扫描

机构

  • 3篇复旦大学

作者

  • 3篇陈良尧
  • 3篇马宏舟
  • 3篇钱佑华
  • 3篇苏毅
  • 2篇周仕明
  • 1篇冯星伟
  • 1篇林成鲁
  • 1篇郑玉祥
  • 1篇郑安生

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1996
  • 2篇1995
共 5 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种正入射式反射率光谱仪
本实用新型由光源、单色仪、样品暗箱、光电探测器以及计算机等部分组成。其中样品暗箱内装设有样品架、探测器的光子探测部分、截光转盘、M形棱镜等。M形棱镜将由单色仪入射的光束分为参考光和样品入射光，两光束分别通过截光转盘被探测...
陈良尧苏毅钱佑华马宏舟周仕明
文献传递
GaSb晶体的高能N^＋注入及其光学性质
1995年
本文用低温光致发光光谱（ＰＬ）、椭圆偏振光谱（ＳＥ）、背散射及沟道技术（ＲＢＳ／Ｃ）、扫描电镜技术（ＳＥＭ）等研究了２ＭｅＶ高能Ｎ＋注入Ｇａｓｂ晶体损伤及其光学性质．结果表明高能Ｎ＋注入Ｇａｓｂ晶体不会产生反常膨胀（Ｓｗｅｌｌｉｎｇ），通过合理的退火可使注入样品晶格得到很好恢复．椭圆偏振光谱能准确反映注入样品晶格损伤情况，并与背散射结果吻合．用有效介质模型（ＥＭＡ）对椭偏谱进行似合可对注入损伤有定量的了解．
郑玉祥苏毅周仕明马宏舟陈良尧郑安生钱佑华林成鲁何冶平
关键词：半导体材料氮离子注入光学性质
波长扫描和入射角可变全自动椭圆偏振光谱仪
陈良尧钱佑华冯星伟苏毅马宏舟
蓬勃发展的现代高科技光电子领域需要对各种材料的光学性质有深刻的了解。伴随微计算机技术的引入而发展起来的自动椭圆偏振光谱仪，作为现代高精度的实验物理光谱学仪器，可用于无损检测和分析各种固体材料的光学特性，因此，无论在科技还...
关键词：
关键词：波长扫描
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