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郭常厚

作品数：4 被引量：8H指数：2
供职机构：东北微电子研究所更多>>
发文基金：国家部委预研基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇电路
  • 2篇CMOS电路
  • 2篇场区
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇电离辐射效应
  • 1篇电路性能
  • 1篇选择比
  • 1篇选择性
  • 1篇漂移区
  • 1篇自对准
  • 1篇微机
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇接口
  • 1篇接口电路
  • 1篇介质
  • 1篇刻蚀
  • 1篇集成电路
  • 1篇加固工艺
  • 1篇高选择性

机构

  • 3篇东北微电子研...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 4篇郭常厚
  • 1篇李莹
  • 1篇栾兰
  • 1篇高东岳
  • 1篇喻德顺
  • 1篇孙明峰
  • 1篇马洪江
  • 1篇宋玲玲
  • 1篇赵晓辉

传媒

  • 3篇微处理机
  • 1篇半导体技术

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2003
  • 1篇1999
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
高选择性的SiO_2/Si干法腐蚀工艺被引量：6
2003年
高选择性的二氧化硅对单晶硅及多晶硅的干法腐蚀工艺在半导体加工领域占有重要地位。本文通过大量实验研究出了一种以 CHF3和 SF6 作为主要进给气体 ,通过调节 CHF3和 SF6 的流量来相应地控制等离子体中有效的 F∶ C比率从而实现较高的腐蚀选择比或较高的腐蚀速率。
高东岳李莹郭常厚栾兰
关键词：高选择性大规模集成电路反应离子刻蚀选择比单晶硅半导体加工
高压CMOS电路的设计及制造工艺研究
2007年
介绍了一种与常规CMOS电路兼容的高压CMOS电路版图设计及工艺加工技术。在该技术中采用了非自对准的场区掺杂,增加场区掺杂浓度,轻掺杂漏区以形成漂移区等提高MOS晶体管击穿电压的一系列技术措施,使MOS晶体管的源漏击穿电压提高至35V以上,电路在24V电压下可以正常工作。
郭常厚马洪江宋玲玲
关键词：高压CMOS漂移区
场区加固工艺技术研究被引量：2
2007年
通过对应用在空间辐射环境下的CMOS LSI电离辐射效应的分析，从中找出电路加固的思路和方法。在电离辐射效应中，CMOS LSI的SiO2中正电荷的累积和SiO2-Si界面态的改变引起的参数变化，会严重影响电路的性能和功能。SiO2中正电荷的累积与其厚度成正比。在CMOS电路中，起MOSFET隔离作用的场区SiO2层厚度最大，是加固的重点之一。主要介绍一种场区加固工艺技术。通过制造SiO2-Si3N4复合场介质层，减小了场氧化层的厚度并改变了SiO2-Si界面状态。在电离辐射效应试验中，使CMOS电路的漏电电流在辐照前后的变化量降低了1．2个量级，为进一步提高电路的抗辐射性能提供了一种可供选择的工艺加固方法。
郭常厚赵晓辉
关键词：电离辐射效应场区复合介质
提高L80C86系列10种电路性能的研究
1999年
简介了提高 L80 C86系列 1
喻德顺郭常厚孙明峰
关键词：接口电路电路性能CMOS电路微机
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