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干涉式大气垂直探测仪读出电路研究被引量：1: 2019年; 干涉式大气垂直探测仪是风云4号气象卫星的重要有效载荷,用于获取大气的多种三维信息。成功设计了一款适用于干涉式大气垂直探测仪的红外焦平面读出电路。电路采用CTIA注入级结构,积分电容4档可选。并且工作方式灵活,同时采用相关双采样结构有效地降低了电路输出噪声。电路使用CSMC 0.5μm 2P3M 5 V工艺流片,电路测试结果符合理论设计预期,噪声小于0.14 mV,动态范围达到85.6 dB。耦合中波HgCdTe探测器测试正常,噪声小于0.43 mV,动态范围达到75.6 dB,符合干涉式大气垂直探测仪红外焦平面要求。; 褚培松陈洪雷李辉丁瑞军; 关键词：读出电路相关双采样

一种用激光切割碲镉汞薄膜的方法: 本发明公开了一种用激光切割碲镉汞薄膜的方法，它包括以下步骤：1、利用作图软件绘制切割路径，保存图形文档。2、将样品放在激光加工平台上，调节样品位置和水平，使激光聚焦在样品表面。3、设定激光加工系统的工作参数：波长：532...; 张姗林春魏彦锋刘丹李辉胡晓宁丁瑞军; 文献传递

32×32甚长波红外HgCdTe焦平面器件（英文）被引量：1: 2017年; 甚长波红外波段富含大气湿度、CO_2含量及云层结构和温度轮廓等大量信息,是大气遥感的重要组成部分。设计了一种32×32甚长波红外焦平面阵列,采用在ZnCdTe衬底上液相外延生长的As掺杂p型材料上进行B+离子注入形成光敏元,通过铟柱倒焊技术和带有改进型背景抑制结构的读出电路互联,制成截止波长达到14滋m的焦平面器件。该红外焦平面器件像元面积为60滋m×60滋m,工作温度在50 K温度下。测试结果显示:读出电路性能良好,焦平面黑体响应率达到1.35×107V/W,峰值探测率为2.57×10^(10)cmH z^(1/2)/W,响应率非均匀性约为45%,盲元率小于12%。; 郝立超黄爱波解晓辉李辉赖灿雄陈洪雷魏彦锋丁瑞军; 关键词：碲镉汞红外焦平面

红外光电探测器的前沿热点与变革趋势被引量：26: 2022年; 红外光电探测技术通常工作在无源被动的传感模式,具有作用距离远、抗干扰性好、穿透烟尘雾霾能力强、全天时工作等优点,在航天遥感、军事装备、天文探测等方面都有广泛应用。至今,二代、三代红外光电探测器已大规模进入装备,高端三代也在逐步推进实用化,并出现了前沿前瞻性的新概念、新技术、新器件。本文聚焦国内外的红外技术研究现状,重点介绍红外光电探测器当前的研究热点与未来的发展趋势。首先,介绍针对战术泛在化、战略高性能的SWaP^(3)概念。其次,综述以超高空间分辨率、超高能量分辨率、超高时间分辨率、超高光谱分辨率为特征的高端三代红外光电探测器,分析挑战光强探测能力极限的红外探测器的技术特征与实现方法。然后,论述基于人工微结构的四代红外光电探测器,重点介绍偏振、光谱、相位等多维信息融合的实现途径与技术挑战。最后,从片上数字化升级为片上智能化的角度,探讨未来极具变革性趋势的红外探测器。; 叶振华李辉豪王进东陈星孙常鸿廖清君黄爱波李辉周松敏林加木潘建珍王晨飞陈洪雷陈路魏彦锋林春胡晓宁丁瑞军陈建新何力; 关键词：红外光电探测器

BDI型甚长波IRFPA读出电路研究与设计被引量：1: 2014年; 针对甚长波红外(VLWIR)探测器动态结阻抗过低、暗电流较大,且工作在高背景环境下等特点,设计了一种具有记忆功能背景抑制的32×32甚长波红外焦平面(IRFPA)读出电路。该电路采用基于高增益负反馈运放的缓冲直接注入级(BDI)结构作为输入级,大幅降低了输入阻抗,提高了注入效率,并使探测器处于稳定偏压状态。同时,该电路采用具有记忆功能的背景抑制电路,有效提高了积分时间和红外焦平面的信噪比(SNR),改善了动态范围和对比度。基于HHNECCZ6H0.35μm1P4M标准CMOS工艺,完成了电路的流片制造。实测结果表明:50K低温下电路功能正常,输出范围大于2V,读出速率达到2.5MHz,RMS噪声小于0.3mV,线性度优于99%,功耗小于100mW。; 郝立超陈洪雷李辉黄爱波丁瑞军; 关键词：读出电路

具有记忆功能背景抑制结构的共享型读出电路被引量：1: 2015年; 甚长波红外(VLWIR)波段富含大气湿度、CO_2含量及云层结构和温度轮廓等大量信息,是大气遥感的重要组成部分。为了满足现阶段甚长波红外探测器对读出电路高注入效率、大动态范围、稳定的探测器偏压、长积分时间等需求,设计了一种具有记忆功能背景抑制结构的共享型读出电路。该电路采用2×2四个相邻的探测器像元共用一个读出电路单元的共享缓冲直接注入级(SBDI)结构,增大了单元电路的面积,在单元内实现了具有记忆功能背景抑制结构的设计,其总积分电容达到8.8 p F,有效延长了积分时间和红外焦平面的信噪比(SNR),并改善了动态范围和对比度。基于HHNEC CZ6H 0.35μm 1P4M标准CMOS工艺,完成了电路的流片制造。仿真及测试结果表明:在50 K温度下电路功能正常,其动态范围大于90 d B,线性度优于99.9%,积分时间可达74μs,达到了设计要求。该读出电路适用于甚长波红外探测器。; 郝立超陈洪雷李辉陈义强赖灿雄黄爱波丁瑞军; 关键词：读出电路

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李辉