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吕玲

作品数：59 被引量：36H指数：4
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 21篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 10篇电池
  • 10篇太阳能电池
  • 9篇增强型
  • 9篇势垒
  • 9篇晶体管
  • 9篇ALGAN/...
  • 8篇电极
  • 8篇迁移率
  • 7篇电子迁移率
  • 7篇太阳能
  • 7篇空穴
  • 7篇高电子迁移率
  • 7篇高电子迁移率...
  • 7篇ALGAN/...
  • 6篇电流
  • 6篇质子
  • 6篇质子辐照
  • 6篇势垒层
  • 6篇欧姆接触
  • 6篇刻蚀

机构

  • 52篇西安电子科技...
  • 2篇湘潭大学
  • 2篇工业和信息化...
  • 1篇西北核技术研...
  • 1篇中国科学院近...
  • 1篇西北核技术研...

作者

  • 52篇吕玲
  • 34篇郝跃
  • 30篇马晓华
  • 23篇曹艳荣
  • 17篇郑雪峰
  • 17篇习鹤
  • 13篇张进成
  • 13篇许晟瑞
  • 12篇张春福
  • 7篇林志宇
  • 5篇唐诗
  • 4篇张金风
  • 4篇毛维
  • 4篇杨眉
  • 4篇罗莉
  • 4篇杨凌
  • 4篇陈大正
  • 4篇张濛
  • 3篇李培咸
  • 3篇侯斌

传媒

  • 6篇物理学报
  • 1篇空间电子技术
  • 1篇太赫兹科学与...
  • 1篇现代应用物理

年份

  • 1篇2025
  • 5篇2024
  • 5篇2023
  • 6篇2022
  • 4篇2021
  • 6篇2020
  • 4篇2019
  • 3篇2018
  • 8篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2008
共 59 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括：(a)选取衬底基片并进行预处理；其中，所述衬底基片设有阴极电极；(b)在所述衬底基片上生长电子传输层；(c)在所述电子传输层上制备钙钛矿吸光层；(d)在所述钙钛矿吸光层...
习鹤朱伟佳张春福吕玲曹艳荣
文献传递
基于纳米线结构的高效发光二极管及制备方法
本发明公开了一种基于纳米线结构的高效发光二极管及制备方法，主要解决传统LED中空穴注入效率不高而引起的发光效率低的问题。其包括：c面蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、Al<Sub>x</Su...
张进成杜金娟许晟瑞吕玲郝跃李培咸陶鸿昌林志宇张金风
文献传递
HEMT器件质子辐射效应仿真
2022年
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有抗高频、耐高温、大功率、抗辐射等特性,在核反应堆、宇宙探测等辐射环境中具有广阔的应用前景。借助SRIM软件仿真1.8 MeV质子辐射对不同AlGaN势垒层纵向尺寸下的常规耗尽型器件内部产生空位密度的影响,并观察空位密度随深度的变化规律。在最优AlGaN势垒层厚度条件下,通过仿真对比5种不同栅氧层材料的MIS-HEMT器件,发现氮化铝(AlN)栅氧层材料具有相对较好的抗辐射效果。
马毛旦曹艳荣曹艳荣王志恒任晨张龙涛吕玲吕玲郑雪峰
关键词：GAN材料HEMT器件
浮空型漏场板电流孔径器件及其制作方法
本发明公开了一种浮空型漏场板电流孔径器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、GaN衬底(1)、GaN漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层(7)上的两侧...
毛维边照科王海永郝跃马晓华杨眉吕玲祝杰杰
圆形电容结构的HEMT器件沟道区电场分布测量结构和方法
本发明公开了一种HEMT器件沟道区电场分布测试图形及其制备方法、测试方法，应用于圆形电容结构的HEMT器件，主要解决现有技术不能对HEMT器件沟道电场强度分布进行测量的的问题。其实现方案是：在待测HEMT器件上制作辅助测...
郑雪峰马晓华龚星星张豪王冲吕玲马佩军郝跃
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括：(a)选取衬底基片并进行预处理；其中，所述衬底基片设有阴极电极；(b)在所述衬底基片上生长电子传输层；(c)在所述电子传输层上制备钙钛矿吸光层；(d)在所述钙钛矿吸光层...
习鹤朱伟佳张春福吕玲曹艳荣
文献传递
一种硅基倒置微带线结构及其制作方法
本发明公开了一种硅基倒置微带线结构及其制作方法，主要解决标准微带线和传统倒置微带线在传输毫米波亚毫米波是损耗大以及加工精度低的问题。该硅基倒置微带线结构包括微带线，悬置层，硅基片，腔体，金属接地层，其中硅基片层包括上硅基...
吕玲王少波杜林马晓华张进成曹艳荣习鹤郝跃
文献传递
一种片上可集成的氮化镓基雪崩光电探测器及其制备方法
本发明涉及一种片上可集成的氮化镓基雪崩光电探测器及其制备方法，包括：制备P型掺杂的氮化镓层；在P型掺杂的氮化镓层上制备第一N型掺杂的氮化镓层；在第一N型掺杂的氮化镓层上制备第二N型掺杂的氮化镓层；在第二N型掺杂的氮化镓层...
曹艳荣吕航航马毛旦王志恒许晟瑞吕玲习鹤郑雪峰陈川张新祥吴琳姗
基于纳米线结构的高效发光二极管的制备方法
本发明公开了一种基于纳米线结构的高效发光二极管及制备方法，主要解决传统LED中空穴注入效率不高而引起的发光效率低的问题。其包括：c面蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、Al<Sub>x</Su...
张进成杜金娟许晟瑞吕玲郝跃李培咸陶鸿昌林志宇张金风
文献传递
浮空型漏场板电流孔径器件及其制作方法
本发明公开了一种浮空型漏场板电流孔径器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、GaN衬底(1)、GaN漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层(7)上的两侧...
毛维边照科王海永郝跃马晓华杨眉吕玲祝杰杰
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