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蒋苓利

作品数：51 被引量：9H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 41篇专利
  • 5篇会议论文
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 19篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 20篇电路
  • 18篇半导体
  • 15篇集成电路
  • 14篇芯片
  • 14篇功率器件
  • 12篇闩锁
  • 12篇半导体功率器...
  • 12篇ESD保护
  • 7篇电阻
  • 7篇高压器件
  • 7篇ESD
  • 6篇掩膜
  • 6篇寄生电容
  • 6篇寄生效应
  • 6篇保护器件
  • 5篇电路芯片
  • 5篇芯片面积
  • 5篇可控硅
  • 5篇集成电路芯片
  • 5篇寄生

机构

  • 51篇电子科技大学
  • 1篇东莞电子科技...

作者

  • 51篇蒋苓利
  • 42篇张波
  • 29篇樊航
  • 28篇乔明
  • 14篇罗波
  • 8篇盛玉荣
  • 8篇杨帆
  • 8篇刘新新
  • 7篇曲黎明
  • 7篇刘娟
  • 7篇喻钊
  • 7篇韩山明
  • 6篇廖红
  • 6篇段双亮
  • 6篇何川
  • 6篇吴道训
  • 6篇马金荣
  • 6篇齐钊
  • 6篇林丽娟
  • 5篇傅达平

传媒

  • 2篇微电子学
  • 2篇四川省电子学...
  • 2篇四川省电子学...
  • 1篇实验科学与技...

年份

  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 6篇2014
  • 4篇2013
  • 11篇2012
  • 10篇2011
  • 8篇2010
  • 5篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2006
共 51 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种SOI LIGBT器件
一种SOI LIGBT器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过在器件阴极侧增加一个收集阳极注入空穴的深结P<Sup>+</Sup>掺杂区(15)，以降低流过阴极N<Sup>+</Sup>区(11)下P型体区(8)中的...
乔明蒋苓利董骁杨帆刘新新廖红张波
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一种抗静电释放的LDMOS器件
一种抗静电释放的LDMOS器件，属于电子技术领域。本发明在常规LDMOS器件的漏端下方一侧部分区域增加一个低压P阱，使LDMOS器件中存在一个寄生的N-P-N-P-N结构，从而增加一条低导通阻抗的电流泄放路径，该结构等效...
张波樊航曲黎明盛玉荣蒋苓利
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一种横向功率器件版图结构
一种横向功率器件版图结构，属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有相同的结构，由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极，且漏电极被轻掺杂漂移区所包围，轻掺杂漂移区...
乔明胡曦罗波叶俊蒋苓利傅达平段双亮张波
一种功率器件集成电路
一种功率器件集成电路，属于半导体功率器件集成技术领域。本发明提供的功率器件集成电路，包括同一硅片上集成的两个或多个功率器件；所述两个或多个功率器件下方的衬底通过衬底刻蚀技术刻蚀掉；所述两个或多个功率器件在具体功率集成电路...
乔明罗波杨帆刘新新蒋苓利程鹏铭张波
一种用于集成电路输出级ESD保护的SCR结构
一种用于集成电路输出级ESD保护的SCR结构，属于电子技术领域。包括两种类型的SCR结构。第一类SCR结构集成了2个等效的PMOS和2个等效的NMOS，提供PS、PD模式和VDD-VSS之间的ESD防护；其中PMOS连接...
蒋苓利樊航林丽娟张波
一种为集成电路I/O端口提供全模式ESD保护的SCR结构
一种为集成电路I/O端口提供全模式ESD保护的SCR结构，属电子技术领域。包括衬底表面的一个P阱区、两个N阱区、三个P+区和五个N+区，P阱区夹于两个N阱区之间，第一N+区和第一P+区位于第一N阱区中，且与外部芯片I/O...
张波樊航蒋苓利吴道训何川
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一种BCD器件及其制造方法
一种BCD器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一芯片上同时集成高压nLIGBT、三类高压nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN等半导体器件。其中，高压nLIGBT、nLDMOS和低压NP...
乔明段双亮罗波蒋苓利傅达平张波
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一种用于ESD保护的低触发电压抗闩锁SCR
本发明涉及半导体器件技术，具体的说是涉及一种用于ESD保护的低触发电压抗闩锁SCR。本发明的一种用于ESD保护的低触发电压抗闩锁SCR，包括P型衬底（1），所述P型衬底1中设置有第一N阱注入区2和P阱注入区4，其特征在于...
乔明齐钊马金荣薛腾飞樊航盛玉荣蒋苓利
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一种集成电路芯片ESD防护用LDMOS SCR器件
一种集成电路芯片ESD防护用LDMOS SCR器件，属于电子技术领域。本发明在传统集成电路芯片ESD防护用LDMOS SCR结构基础上集成一个低压MOS器件，通过所述低压MOS器件来限制内嵌SCR阳极注入的空穴电流，从而...
张波樊航曲黎明盛玉荣蒋苓利
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一种栅控二极管触发的可控硅整流式静电释放保护电路结构
一种栅控二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的栅控二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为栅控N<Su...
蒋苓利樊航张波乔明林丽娟喻钊钟昌贤
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