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宋三年

作品数：117 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金宁波市自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术金属学及工艺电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 103篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇自动化与计算...
  • 5篇金属学及工艺
  • 5篇电子电信
  • 3篇文化科学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 68篇存储器
  • 59篇相变材料
  • 54篇相变
  • 48篇相变存储
  • 46篇相变存储器
  • 21篇存储器单元
  • 17篇功耗
  • 16篇电阻
  • 11篇碲
  • 10篇低功耗
  • 9篇电极
  • 9篇开关比
  • 9篇复合相变
  • 9篇编程
  • 9篇编程过程
  • 8篇选通
  • 8篇热稳定
  • 8篇热稳定性
  • 8篇介质材料
  • 7篇低电阻

机构

  • 111篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇东华大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇宁波大学
  • 1篇南阳师范学院
  • 1篇江苏理工学院

作者

  • 111篇宋三年
  • 109篇宋志棠
  • 28篇刘波
  • 21篇吴良才
  • 19篇封松林
  • 19篇饶峰
  • 15篇吕业刚
  • 12篇张中华
  • 11篇朱敏
  • 8篇李喜
  • 7篇陈后鹏
  • 6篇顾怡峰
  • 6篇陈邦明
  • 6篇陈小刚
  • 5篇彭程
  • 5篇王青
  • 5篇夏洋洋
  • 4篇周夕淋
  • 4篇任堃
  • 3篇王浩敏

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇东华大学学报...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 3篇2025
  • 4篇2024
  • 4篇2023
  • 7篇2022
  • 5篇2021
  • 12篇2020
  • 7篇2019
  • 8篇2018
  • 4篇2017
  • 5篇2016
  • 11篇2015
  • 7篇2014
  • 10篇2013
  • 7篇2012
  • 8篇2011
  • 7篇2010
  • 2篇2009
共 117 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种双电源优先级选择电路
本发明涉及一种双电源优先级选择电路，包括：双电源上电复位合成电路，用于监测双电源的状况，并根据所述双电源的状况产生上电复位信号和合成输出信号，包括两个输入端和两个输出端，两个输入端分别与双电源的两个电源端相连，两个输出端...
陈致志胡辰凯李喜宋三年宋志棠
一种纳米复合相变材料及其制备与应用
本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种纳米复合相变薄膜及其制备与应用。本发明的纳米复合相变材料用HfO<Sub>2</Sub>与相变材料复合而成，其中，HfO<Sub>2</Sub>的重量百分比为12－36％，相变材料的...
宋三年宋志棠封松林
文献传递
钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法
本发明提供一种钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法，包括：沉积Ti前驱体，所述Ti前驱体包括(R<Sup>1</Sup>)<Sub>4</Sub>Ti、(R<Sup>1</Sup>R<Sup>2</Sup>...
宋三年宋志棠张中华顾怡峰
文献传递
低功耗相变存储单元及其制备方法
本发明提供一种低功耗的相变存储单元及其制备方法，所述相变存储单元包括上下两个电极，该上下两个电极中至少一个为由两种不同导电材料以纳米级厚度交替层状生长而成的多层结构。本发明还提供了制作低功耗相变存储器的方法，本发明所制作...
吕业刚宋三年宋志棠吴良才饶峰刘波
文献传递
一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器
本发明涉及微纳电子技术领域，特别涉及一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器，所述OTS选通材料包括GeSe组分、As<Sub>3</Sub>Se<Sub>4</Sub>组分及掺杂元素(M)，所述OTS选通...
宋志棠宋三年薛媛袁祯晖
一种基于氧化物离子注入的选通材料、选通器单元及其制备方法
本发明提供一种基于氧化物离子注入的选通材料、选通器单元及其制备方法，所述选通材料的化学通式为M<Sub>x</Sub>O<Sub>y</Sub>As<Sub>z</Sub>，其中，M是包括但不限于Hf、Ti、Ta或Zr中...
宋志棠郭天琪宋三年
文献传递
一种复合相变材料靶材及其制备方法
本发明公开了一种复合相变材料靶材及其制备方法。该复合相变材料靶材由相变材料与另一种材料复合而成，制备时，首先将其中熔点较高的材料制备成圆柱状作为基体，采用刻蚀工艺在此基体上制备出大小形状相同且分布均匀的圆柱状小孔，然后将...
宋志棠陈邦明宋三年
文献传递
一种抗辐射加固的鉴频鉴相器电路
本发明涉及一种抗辐射加固的鉴频鉴相器电路，包括：第一D触发器电路、第二D触发器电路、C单元电路和频率锁定指示单元电路；第一D触发器电路和第二D触发器电路的结构相同，均包括依次连接的第一DICE锁存器电路和第二DICE锁存...
陈致志陈后鹏李喜宋三年宋志棠
基于一类硫系化合物的开关器件及其存储设备
本发明涉及基于一类硫系化合物的开关器件及其存储设备，所述硫系化合物的化学通式为(S<Sub>x</Sub>Se<Sub>y</Sub>Te<Sub>100‑x‑y</Sub>)<Sub>100‑z</Sub>M<Sub>...
王禹昊宋志棠宋三年 宋文雄
一种相变材料、相变存储单元及其制备方法
本发明提供一种相变材料、相变存储单元及其制备方法，其中，相变材料包括铒元素、锑元素及碲元素，所述相变材料的化学式为Er<Sub>x</Sub>Sb<Sub>y</Sub>Te<Sub>z</Sub>，其中，x、y、z均指...
宋文雄赵进宋志棠宋三年
文献传递
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