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商立伟

作品数:110 被引量:7H指数:2
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 99篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 21篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 58篇晶体管
  • 52篇有机半导体
  • 52篇半导体
  • 46篇晶体
  • 46篇场效应
  • 39篇场效应晶体管
  • 37篇有机场效应晶...
  • 29篇电极
  • 28篇光刻
  • 25篇衬底
  • 23篇绝缘衬底
  • 18篇金属
  • 17篇有机半导体材...
  • 17篇半导体材料
  • 16篇沟道
  • 14篇分子
  • 12篇真空蒸镀
  • 12篇微电子
  • 11篇纳米
  • 10篇绝缘

机构

  • 110篇中国科学院微...
  • 2篇兰州大学
  • 1篇安徽大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 110篇商立伟
  • 108篇刘明
  • 51篇刘兴华
  • 48篇刘舸
  • 45篇王宏
  • 38篇涂德钰
  • 37篇姬濯宇
  • 31篇柳江
  • 15篇甄丽娟
  • 15篇谢常青
  • 13篇王丛舜
  • 12篇刘欣
  • 11篇韩买兴
  • 9篇陈映平
  • 7篇刘新华
  • 6篇王艳花
  • 4篇龙世兵
  • 3篇李冬梅
  • 3篇王慰
  • 2篇岑专专

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇科学通报
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇微电子学
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 2篇2014
  • 24篇2012
  • 22篇2011
  • 27篇2010
  • 23篇2009
  • 4篇2008
  • 7篇2007
  • 1篇2006
110 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
三维CMOS与分子开关器件的混合集成电路结构的制备方法
本发明公开了一种三维CMOS与分子开关器件的混合集成电路结构的制备方法,包括:在基片制备标准的CMOS器件;在该CMOS器件上覆盖一层钝化层;对该钝化层进行光刻、刻蚀形成通孔;沉积金属填充通孔,化学机械打磨将多余金属层去...
涂德钰刘明王慰商立伟谢常青
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采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法
本发明公开了一种采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法,包括:在绝缘衬底上涂敷光刻胶;光刻得到栅电极图形;蒸发或沉积金属电极材料;用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形;在栅电极上蒸发或沉积一层绝缘介质层材料;...
刘舸刘明刘兴华商立伟王宏柳江
一种修饰有机场效应晶体管底电极的方法
本发明公开了一种修饰有机场效应晶体管底电极的方法,该方法包括:在导电基底上热氧化生长绝缘介质薄膜;在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂,光刻得到底电极胶图形;真空蒸镀一层有机半导体材料;通过电子束蒸发在有机半导体材料表面蒸镀一...
刘舸刘明刘兴华商立伟王宏柳江
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一种制备有源层材料取向有序的有机场效应晶体管的方法
本发明公开了一种制备有源层材料取向有序的有机场效应晶体管的方法,该方法包括:在导电基底上生长绝缘介质薄膜;在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂,光刻得到平行排列的线条图形;在平行排列的线条图形表面蒸镀一层金属薄膜;用丙酮剥离掉...
刘舸刘明刘光华商立伟王宏柳江
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一种有机场效应晶体管结构及其制备方法
本发明公开了一种有机场效应晶体管结构及其制备方法。该晶体管结构包括绝缘衬底、有源层、栅介质、源漏电极和栅电极。所述的晶体管结构为底栅顶接触式结构,该晶体管的源漏电极为顶接触式电极,通过水溶性的光刻胶来对其进行图形化。本发...
商立伟姬濯宇刘明
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金属环形栅有机晶体管结构及其制备方法
本发明公开了一种金属环形栅有机晶体管结构,该结构包括:绝缘衬底、在该绝缘衬底表面制备的环形栅电极、在该绝缘衬底表面及环形栅电极上制备的栅介质层、在栅介质层上制备的有机半导体层,以及在该有机半导体层圆形表面制备的圆形源电极...
商立伟刘明涂德钰甄丽娟刘舸刘兴华
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一种制备交叉分子电子器件的方法
本发明涉及微电子学与分子电子学中的微细加工技术领域,公开了一种制备交叉分子电子器件的方法,包括:在基片上淀积一层绝缘介质;在该绝缘介质层上旋涂抗蚀剂,在该抗蚀剂上光刻出交叉结构图形;利用抗蚀剂作为掩蔽刻蚀该绝缘介质层,将...
涂德钰刘明商立伟刘新华谢常青
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一种结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法
本发明属于有机半导体学中的微细加工领域,特别涉及一种结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法。其步骤如下:1.在导电基底上制备绝缘介质层;2.在绝缘介质层薄膜表面上沉积生长第一层有机半导体薄膜;3.利用模板压印有机薄膜...
商立伟涂德钰王丛舜刘明
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One-Time Programmable Metal-Molecule-Metal Device
2008年
A one-time programmable metal-molecule-metal device, with a modified Rotaxane LB film as the functional layer, is proposed for potential use in organic programmable and fault tolerant circuits like inorganic anti-fuse devices used in field programmable gate arrays. All fabrication methods involved are low temperature processes, ensuring that this device can be integrated with other organic devices. Electrical measurements show that this device has a good one-time programming capability. Its break down voltage is 2.2V, off-state resistance is 15kΩ, and on-state resistance is 54Ω These characteristics come from the penetration of metal atoms into molecular film under high electronic field.
商立伟刘明涂德钰甄丽娟刘舸
关键词:FPGAROTAXANEPROGRAMMABLE
有机存储器件、阵列及其制造方法
本发明实施例公开了一种有机存储器件,包括:衬底;衬底上的下电极;下电极上的第一有机薄膜、第一有机薄膜上的不连续的金属薄膜以及不连续的金属薄膜上的第二有机薄膜,其中,不连续的金属薄膜由岛状金属颗粒形成;第二有机薄膜上的上电...
刘明刘欣姬濯宇商立伟谢常青李冬梅韩买兴陈映平王宏
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共11页<12345678910>
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